[发明专利]具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构及其制造工艺

权利要求书

1.一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构，其特征在于：它包括基岛（1）和引脚（2），所述基岛（1）和引脚（2）为电镀形成的金属线路层，所述引脚（2）包括平面部分（2.1）和侧壁部分（2.3），所述侧壁部分（2.3）位于平面部分（2.1）外侧，所述侧壁部分（2.3）包括多个侧壁面，所述平面部分（2.1）与侧壁部分（2.3）的多个侧壁面之间通过弧形部分（2.2）过渡连接，所述弧形部分（2.2）的凸面朝向外下侧，所述基岛（1）正面通过粘结物质或焊料（3）设置有芯片（4），所述芯片（4）通过金属焊线（5）与引脚（2）形成电性连接，所述基岛（1）、引脚（2）以及芯片（4）外围区域包封有塑封料（6），所述侧壁部分（2.3）的高度与塑封料（6）齐平，所述侧壁部分（2.3）的多个侧壁面和弧形部分（2.2）通过包覆塑封料（6）形成波状突出部（7），所述平面部分（2.1）、弧形部分（2.2）和侧壁部分（2.3）的内表面包覆在塑封料（6）之内，所述平面部分（2.1）、弧形部分（2.2）和侧壁部分（2.3）的外表面暴露于塑封料（6）之外。

2.根据权利要求1所述的一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构，其特征在于：所述基岛（1）和引脚（2）为电镀形成的金属线路层。

3.一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构的制造工艺，其特征在于所述工艺包括以下步骤：

步骤一、取一片金属载板；

步骤二、在金属载板正面及背面贴覆或印刷可进行曝光显影的光阻材料，利用曝光显影设备对金属载板表面的光阻材料进行曝光、显影与去除部分光阻材料，以露出金属载板表面需要进行蚀刻图形区域；

步骤三、在金属载板正面完成曝光显影的区域进行化学蚀刻，蚀刻形成凹槽，凹槽底部为平面，凹槽的四个侧壁为波状面，底部和侧壁连接处蚀刻为弧形，蚀刻完成后去除金属载板表面的光阻膜；

步骤四，在金属载板正面凹槽内部分电镀上金属线路层，形成引脚和基岛，引脚包括平面部分和侧壁部分，侧壁部分包括多个侧壁面，平面部分与侧壁部分的多个侧壁面之间通过弧形部分过渡连接，弧形部分的凸面朝向外下侧，侧壁部分的高度与凹槽顶面齐平；

步骤五、在基岛表面涂覆粘结物质或焊料，然后在粘结物质或焊料上植入芯片，在芯片正面与引脚正面之间进行键合金属焊线作业；

步骤六、将步骤五完成装片与打线作业的金属载板采用塑封料进行塑封，塑封后侧壁部分的多个侧壁面和弧形部分通过包覆塑封料形成波状突出部；

步骤七、去除金属载板，露出引脚和基岛的外表面，并可以使原本阵列式的塑封体独立开来，制得一种具有引脚侧面爬锡功能的半导体封装结构。

4.根据权利要求3所述的一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构的制造工艺，其特征在于：所述金属载板的材质是铜材，铁材或不锈钢材。

5.根据权利要求3所述的一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构的制造工艺，其特征在于：所述光阻材料是光阻膜。

6.根据权利要求3所述的一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构的制造工艺，其特征在于：步骤三中蚀刻采用的药水是氯化铜或者氯化铁。

7.根据权利要求3所述的一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构的制造工艺，其特征在于：步骤三中采用化学药水软化并采用高压水冲洗的方法去除光阻膜。

8.根据权利要求3所述的一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构的制造工艺，其特征在于：步骤四中金属线路层材料是铜、铝或镍。

9.根据权利要求3所述的一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构的制造工艺，其特征在于：步骤五中金属焊线的材料采用金、银、铜或铝；金属焊线的形状是丝状或带状。

10.根据权利要求3所述的一种具有引脚侧壁爬锡功能的半导体封装结构的制造工艺，其特征在于：步骤六中塑封料的包封方式采用模具灌胶方式、喷涂设备喷涂方式或刷胶方式，所述塑封料采用有填料物质或是无填料物质的环氧树脂。