[发明专利]一种高效MWT太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种高效MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：将制绒扩散后的硅片经掩膜工序后再进行刻蚀工序，刻蚀工序结束后依次进行以下工序：

(a)背面钝化层制备：在电池片背面制备一层钝化层；

(b)正面减反膜：在电池片正面制备一层减反膜；

(c)背面保护膜：在电池片背面钝化层上覆一层保护膜；

(d)开槽：将背面的减反膜和保护膜开槽，以便铝背场浆料和硅基体形成欧姆接触；

其中，掩膜工序包括在硅片扩散面制备正电极图案对应的掩膜图案；刻蚀工序包括去除硅片周边及背面的PN结，对掩膜图形以外正面扩散层进行抛结，去除掩膜浆料，去除磷硅玻璃，并进行背面抛光。

2.根据权利要求1所述的高效MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用碱或二乙二醇单丁醚去除掩膜浆料。

3.根据权利要求1所述的高效MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，钝化层为氧化铝或氧化硅，钝化层的厚度为1-50nm。

4.根据权利要求1所述的高效MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，减反膜为氮化硅，折射率为1.9-2.2，膜厚为60-100nm；保护膜为氮化硅，折射率为1.9-2.2，膜厚为10-150nm。

5.根据权利要求1所述的高效MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，硅片在经制绒扩散前先进行打孔，在硅片上形成用于填充浆料将正面电极汇集的电流引至基片背面的孔洞；掩膜工序时在孔洞内制备掩膜层。

6.根据权利要求5所述的高效MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

(1)打孔；

(2)制绒：对硅片进行清洗和织构化，去除硅片表面的损伤层，在硅片表面制成绒面；

(3)扩散：在硅片衬底沉积掺杂源并进行扩散制备PN结；

(4)掩膜；

(5)刻蚀；

(6)背面钝化层制备；

(7)正面减反膜；

(8)背面保护膜；

(9)开槽；

(10)背面电极制备：在电池片片背面制备MWT背面电极的正极、背面电极的负极和进行堵孔；

(11)铝背场制备：在电池片背面制备铝背场；

(12)正面电极制备：在电池片正面制备正面电极；

(13)烧结：将电池片共烧形成欧姆接触。

7.根据权利要求1所述的高效MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

(1)制绒：对硅片进行清洗和织构化，去除硅片表面的损伤层，在硅片表面制成绒面；

(2)扩散：在硅片衬底沉积掺杂源并进行扩散制备PN结；

(3)掩膜；

(4)刻蚀；

(5)背面钝化层制备；

(6)正面减反膜；

(7)背面保护膜；

(8)开槽；

(9)背面电极制备：在硅片背面制备MWT背面电极的正极；

(10)铝背场制备：在硅片背面制备铝背场；

(11)正面电极制备：在电池片正面制备正面电极；

(12)烧结：将电池片共烧形成欧姆接触；

(13)打孔：在电池片上打孔，形成用于填充浆料将正面电极汇集的电流引至电池片背面的孔洞；

(14)印刷导电胶：用导电胶填充孔洞并制成背面电极的负极，与正面电极相连通形成电流通路；

(15)烘干：烘干固化导电胶。

8.根据权利要求6或7所述的高效MWT太阳能电池的制备方法，其特征在于，硅片采用背靠背的方式进行单面扩散，扩散源为POCl₃，扩散方阻为30-100Ω/□。