[发明专利]一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法有效
| 申请号： | 201711469513.7 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108217629B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李树丰;张鑫;张昂昂;潘登 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/168 | 分类号： | C01B32/168;D06M11/77;D06M101/40 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 蒋姝泓 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 表面原位生成 纳米SiC 导热 复合 分散均匀性 超声分散 基体材料 机械搅拌 界面反应 界面结合 金属基体 力学性能 纳米硅粉 原位反应 复合材料 高延性 纳米级 导电 壳芯 粘附 调控 保留 保证 | ||
1.一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，将分散粘合剂聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)分散于无水乙醇中，得到PVP无水乙醇分散液；
步骤2，将CNTs和纳米硅粉加入PVP无水乙醇分散液中，分散均匀并过滤，取滤出的混合粉末干燥；所述CNTs和纳米硅粉的体积比为0.5～10；步骤2中所述分散采用超声分散和机械搅拌同步进行，超声分散时长为0.5～3h，机械搅拌时间为0.5～3h，转速为50～200转/分钟；
步骤3，将混合粉末置于热处理炉中，在真空环境或者惰性气体保护下进行热处理，热处理温度1100～1300℃，热处理时间为1～3h，通过热处理过程中发生的原位反应在CNTs表面合成具有不同结构的纳米SiC。
2.根据权利要求1所述的一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法，其特征在于，所述CNTs是单壁CNTs、多壁CNTs和纳米碳纤维中任意一种或任意组合。
3.根据权利要求1所述的一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法，其特征在于，所述CNTs直径范围是10nm～200nm，长度范围是100nm～1cm；纳米硅粉颗粒直径范围是20nm～150nm。
4.根据权利要求1所述的一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法，其特征在于，步骤1中所述分散粘合剂PVP的质量为CNTs质量的0.5～30％，无水乙醇的质量为CNTs和纳米硅粉的混合粉末总质量的10～50倍。
5.根据权利要求1所述的一种表面原位生成纳米SiC的复合CNTs的制备方法，其特征在于，步骤2中所述干燥为真空干燥，真空干燥温度为50～100℃，干燥时间为2～12h。
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