[发明专利]量子点薄膜及其制备方法和QLED器件

权利要求书

1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一量子点溶液，所述第一量子点溶液中含有表面结合有初始配体的量子点；

提供阴离子前驱体，将所述阴离子前驱体加入到所述第一量子点溶液中，进行钝化处理，得到第二量子点溶液；

提供硫醇配体，将所述硫醇配体加入到所述第二量子点溶液中，进行表面配体交换，得到第三量子点溶液；

将所述第三量子点溶液沉积在基片上，得到所述量子点薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阴离子前驱体选自S-TOP、S-ODE、S-OA、TMS、S-TBP、Se-TOP、Se-ODE、Se-OA、Se-TBP、Te-TOP和Te-TBP中的至少一种；和/或

所述硫醇配体选自1-丙硫醇、1-丁硫醇、1-戊硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-癸硫醇、1-十一硫醇和1-十二硫醇中的至少一种；和/或

所述初始配体选自油酸、油胺、三辛基磷和三辛基氧磷中的至少一种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化处理的温度为100-300℃；和/或

所述钝化处理的时间为30-60min；和/或

所述表面配体交换的温度为30-300℃；和/或

所述表面配体交换的时间为30-60min。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，按所述阴离子前躯体与所述表面结合有初始配体的量子点的摩尔质量比为(0.5-1mmol):100mg，将所述阴离子前驱体加入到所述第一量子点溶液中；和/或

按所述硫醇配体与所述表面结合有初始配体的量子点的摩尔质量比为(0.01-0.2mmol):100mg，将所述硫醇配体加入到所述第二量子点溶液中。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述阴离子前驱体的制备方法包括：

将非金属单质溶于有机溶剂中，在20-250℃的温度条件下进行加热处理。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述非金属单质选自S、Se和Te中的至少一种；和/或

所述有机溶剂选自TOP、ODE、OA和TBP中的至少一种。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在将所述第三量子点溶液沉积在基片上之前，还包括将所述第三子点溶液进行萃取分离的步骤。

8.一种量子点薄膜，含有量子点，其特征在于，所述量子点表面的结合有硫醇配体，且所述量子点表面还结合有阴离子。

9.如权利要求8所述的量子点薄膜，其特征在于，所述阴离子选自S^2-、Se^2-和Te^2-中的至少一种；和/或

所述硫醇配体选自1-丙硫醇、1-丁硫醇、1-戊硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-癸硫醇、1-十一硫醇和1-十二硫醇中的至少一种。

10.一种QLED器件，包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层为权利要求8或9所述的量子点薄膜或权利要求1-7任一项所述的制备方法制得的量子点薄膜。