[发明专利]Flash读取电路和读取方法

说明书

本发明公开了一种Flash读取电路和读取方法，属于集成电路技术领域。所述Flash读取电路包括：AHB主模块、Flash接口单元、锁存单元；所述AHB主模块与所述Flash接口单元电性连接；所述Flash接口单元与所述锁存单元电性连接，所述锁存单元与所述AHB主模块连接；所述Flash接口单元用于将从Flash中读取到的数据锁存至所述锁存单元，并将所述锁存单元中的数据输出至所述AHB主模块；解决了现有技术中Flash数据读取效率低的问题，达到了可以提高Flash读取效率的效果。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种Flash读取电路和读取方法。

背景技术

随着智能可穿戴设备、智能硬件的普及以及物联网的兴起，MCU（MicrocontrollerUnit，微控制单元）在消费电子、工业控制、医疗设备以及人工智能等领域得到了广泛应用。为了减少外围分立器件，增加通用性，MCU通常采用内嵌非易失性存储器保存程序和少量数据，而Flash（固态存储器与动画编辑器）作为典型的NVM（Non-volatile memory，非易失存储器），具有体积小、成本低、高灵活性、多次擦除编程等特点，可以满足高速访问和系统安全性等不同需求，逐渐成为MCU存储器的首选。

然而，与处理器较高的运行频率相比，嵌入式Flash属于低速存储设备，自20世纪80年代起，处理器性能以每年60%的速率提升，而存储器访问时间的改善速率每年大约为7%。相对于处理器可以通过指令集并行、超标量设计和大量使用寄存器提高自身性能，Flash性能的提升只能依赖于工艺改良等方法。因此Flash读取速度远不能满足MCU处理速度的要求。

发明内容

为了解决现有技术中Flash读取速度不能满足需求的问题，本发明实施例提供了一种Flash读取电路和读取方法。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种Flash读取电路，所述Flash读取电路包括：AHB主模块、Flash接口单元、锁存单元；

所述AHB主模块与所述Flash接口单元电性连接；

所述Flash接口单元与所述锁存单元电性连接，所述锁存单元与所述AHB主模块连接；

所述Flash接口单元用于将从Flash中读取到的数据锁存至所述锁存单元，并将所述锁存单元中的数据输出至所述AHB主模块。

可选地，所述锁存单元包括至少一个锁存器。

第二方面，提供了一种Flash读取方法，用于第一方面所述的Flash读取电路中，所述方法包括：

通过AHB主模块发出数据读取请求；

在Flash接口单元从Flash中读取到数据之后，存储所述数据至锁存单元；

所述Flash接口单元根据读取地址读取所述锁存单元中的数据至所述AHB主模块。

可选地，所述在Flash接口单元从Flash中读取到数据之后，存储所述数据至锁存单元，包括：

在所述Flash接口单元读取到所述数据之后，所述Flash接口单元在地址使能信号AE的高电平时存储所述数据至所述锁存单元。

可选地，所述方法还包括：

所述Flash接口单元在时钟周期的第一个时钟下降沿时，根据仲裁结果生成所述AE信号。

可选地，所述Flash接口单元在地址使能信号AE的高电平时存储所述数据至所述锁存单元，包括：

在生成所述AE信号之后，在所述AE信号的上升沿达到预设时间之后，所述Flash接口单元在所述AE信号的高电平时存储所述数据至所述锁存单元，所述预设时间为所述AE信号到达所述Flash接口单元的延迟的总和，以及，数据读取时间的和。