[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括核心区和外围区，在所述半导体衬底的核心区上形成有存储单元和选择栅，在所述半导体衬底的外围区上形成有逻辑栅，所述存储单元包括依次堆叠设置的浮栅、隔离层和控制栅；

在所述存储单元、所述选择栅和所述逻辑栅的侧壁和顶部上形成第一间隙壁材料层；

在所述存储单元、所述选择栅和所述逻辑栅的顶部以及侧壁的顶部区域形成第二间隙壁材料层，所述第二间隙壁材料层密封相邻的所述存储单元之间以及所述存储单元和所述选择栅之间顶部区域的开口，以在相邻的所述存储单元之间以及所述存储单元和所述选择栅之间形成空气隙；

形成覆盖所述存储单元、所述选择栅、所述逻辑栅和所述半导体衬底的第三间隙壁材料层；

刻蚀所述第一间隙壁材料层、所述第二间隙壁材料层和所述第三间隙壁材料层，以在所述选择栅和所述逻辑栅的侧壁上形成间隙壁；

形成覆盖所述存储单元、所述选择栅、所述逻辑栅和所述半导体衬底的初始层间介电层；

去除部分所述初始层间介电层和所述第二间隙壁材料层，以打开相邻的所述存储单元之间以及所述存储单元和所述选择栅之间顶部区域的开口；

以流动性材料填充相邻的所述存储单元之间以及所述存储单元和所述选择栅之间的空气隙；

去除部分所述流动性材料，以使所述流动性材料的顶部低于所述存储单元的顶部；

去除部分所述第一间隙壁材料层、部分所述间隙壁和部分所述流动性材料形成的填充层，以露出部分所述控制栅、部分所述选择栅和部分所述逻辑栅；

去除所述填充层；

执行硅化工艺，以使露出的部分所述控制栅、部分所述选择栅和部分所述逻辑栅转变为硅化物；

形成覆盖所述存储单元、所述选择栅、所述逻辑栅和所述半导体衬底的第一层间介电层以在相邻的所述存储单元之间以及所述存储单元和所述选择栅之间形成空气隙，所述第一层间介电层未填充所述存储单元之间以及所述存储单元和所述选择栅之间的间隙。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一间隙壁材料层和所述第三间隙壁材料层采用低压TEOS氧化物。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二间隙壁材料层为等离子增强化学气相沉积的氧化物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述流动性材料包括有机介质层、有机底部抗反射层或光阻。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在形成所述初始层间介电层之前，还包括：

形成覆盖所述存储单元、所述选择栅、所述逻辑栅和所述半导体衬底的接触孔蚀刻停止层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在去除部分所述初始层间介电层和所述第二间隙壁材料层时，还去除部分所述接触孔蚀刻停止层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述存储单元、所述选择栅和所述逻辑栅的顶部还形成有硬掩膜层，在去除部分所述初始层间介电层和所述第二间隙壁材料层时，还去除所述硬掩膜层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一层间介电层为等离子增强化学气相沉积的氧化层。