[发明专利]一种提高系统启动速度的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201711472887.4 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108108564B 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 潘樱子;王娟 申请(专利权)人: 安徽皖通邮电股份有限公司
主分类号: G06F9/445 分类号: G06F9/445;G06F30/398
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 230000 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 系统启动 速度 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种提高系统启动速度的方法,其特征在于:包括如下步骤:

步骤1:当CPU(10)对NANDFLASH(30)进行写操作时,CPU(10)将通过低延时电平转换器(20)向NANDFLASH(30)发送控制信号、命令、地址和数据,所有信号的方向都是由中央处理器CPU(10)发送到NANDFLASH(30);

步骤2:假设中央处理器CPU(10)发出的信号在低延时电平转换器(20)中的延时为T2,各芯片间PCB走线延时忽略不计;写NANDFLASH(30)操作时,CPU(10)发出的所有信号都会经历T2的延时到达NANDFLASH(30),在不考虑电平转换器件不同端口延时差异的情况下,NANDFLASH(30)接收到的命令、地址、数据相位关系跟CPU(10)发出来的信号时序关系基本相同;

步骤3:当CPU(10)对NANDFLASH(30)进行读操作时,CPU(10)发出控制信号首先经过T2延时后到达NANDFLASH(30),NANDFLASH(30)把读出的数据信号送入到低延时电平转换器(20),再经过T2的延时到达中央处理器CPU(10);此时CPU(10)接收到数据信号的时间已比直接外挂NANDFLASH(30)进行读操作延时了2个T2时间;这个延时将会使CPU(10)采样数据信号窗口缩短2*T2。

2.根据权利要求1所述的提高系统启动速度的方法,其特征在于:所述步骤2中T2延时大小并不影响CPU(10)对NANDFLASH(30)的写操作时序。

3.根据权利要求2所述的提高系统启动速度的方法,其特征在于:所述步骤2中CPU(10)写NANDFLASH(30)的频率可以达到NANDFLASH(30)/ CPU(10)中NANDFLASH控制器可支持的上限频率。

4.根据权利要求3所述的提高系统启动速度的方法,其特征在于:所述步骤3中必须把CPU(10)中NANDFLASH(30)输出的读使能信号有效脉宽增大2*T2时间,以满足CPU(10)读NANDFLASH(30)时序要求。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的提高系统启动速度的方法,其特征在于:所述低延时电平转换器(20)为低延时双向电平转换器,延时小于等于4.5ns。

6.根据权利要求5所述的提高系统启动速度的方法,其特征在于:所述低延时电平转换器(20)采用TXB0304RUTR芯片。

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