[发明专利]复合金属氧化物纳米颗粒及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种用于空穴传输材料的复合金属氧化物纳米颗粒，其特征在于，包括金属氧化物纳米颗粒，结合在所述金属氧化物纳米颗粒表面的卤化物阴离子，以及与所述卤化物阴离子结合的电正性表面修饰剂；其中，所述金属氧化物纳米颗粒为p型半导体氧化物，所述电正性表面修饰剂为碳原子数小于20的有机胺，所述卤化物阴离子为[MX_m+n]^n-，其中，M选自Pb、Cd、Zn、In、Fe、Sb中的一种，X选自Cl、Br、I中的一种，m为M的化合价数，n为所述卤化物阴离子的价数，其中，m为2或3，且当m为2时，n为1；当m为3时，n为1或2。

2.如权利要求1所述的复合金属氧化物纳米颗粒，其特征在于，所述电正性表面修饰剂为苯胺类有机物，且所述苯胺类有机物的碳原子数为6-18。

3.如权利要求2所述的复合金属氧化物纳米颗粒，其特征在于，所述苯胺类有机物选自三苯胺、卤代三苯胺、硝基苯胺中的至少一种。

4.如权利要求1-3任一项所述的复合金属氧化物纳米颗粒，其特征在于，

所述金属氧化物纳米颗粒的粒径小于10nm；和/或

所述金属氧化物纳米颗粒为p型半导体氧化物。

5.一种用于空穴传输材料的复合金属氧化物纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将卤化物分散在极性溶剂中，得到卤化物阴离子，其中，所述极性溶剂为能够使所述卤化物电离形成卤化物阴离子和卤化物阳离子的有机溶剂；所述卤化物阴离子为[MX_m+n]^n-，其中，M选自Pb、Cd、Zn、In、Fe、Sb中的一种，X选自Cl、Br、I中的一种，m为M的化合价数，n为所述卤化物阴离子的价数，其中，m为2或3，且当m为2时，n为1；当m为3时，n为1或2；

提供金属氧化物纳米颗粒，将所述金属氧化物纳米颗粒与所述卤化物阴离子混合处理，所述卤化物阴离子与金属氧化物纳米颗粒表面的配体发生交换反应，制备得到卤化物阴离子修饰的金属氧化物纳米颗粒；其中，所述金属氧化物纳米颗粒为p型半导体氧化物；

提供电正性表面修饰剂，将所述电正性表面修饰剂与所述卤化物阴离子修饰的金属氧化物纳米颗粒进行混合处理，制备得到复合金属氧化物纳米颗粒；其中，所述电正性表面修饰剂为碳原子数小于20的有机胺。

6.如权利要求5所述的复合金属氧化物纳米颗粒的制备方法，其特征在于，

所述电正性表面修饰剂为苯胺类有机物，且所述苯胺类有机物的碳原子数为6-18。

7.如权利要求5所述的复合金属氧化物纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述极性溶剂的施主数为10-50。

8.如权利要求7所述的复合金属氧化物纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂选自甲基甲酰胺、丙烯碳酸酯、二甲基甲酰胺、乙腈、二甲基亚砜、甲醇、乙醇、丙醇中的至少一种。

9.如权利要求5-8任一项所述的复合金属氧化物纳米颗粒的制备方法，其特征在于，将所述金属氧化物纳米颗粒与所述卤化物阴离子混合处理的步骤中，按照所述金属氧化物纳米颗粒和所述卤化物阴离子的质量摩尔比为100mg：(0.2～1mmol)的比例混合处理。

10.如权利要求5-8任一项所述的复合金属氧化物纳米颗粒的制备方法，其特征在于，将所述电正性表面修饰剂与所述卤化物阴离子修饰的金属氧化物纳米颗粒进行混合处理的步骤中，按照所述电正性表面修饰剂与所述卤化物阴离子修饰的金属氧化物纳米颗粒的摩尔质量比为(0.2～1mmol)：100mg的比例混合处理。

11.一种发光器件，其特征在于，包括阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层，所述叠层包括空穴传输层和发光层，所述空穴传输层靠近所述阳极设置，且所述空穴传输层的材料为如权利要求1-4任一项所述的复合金属氧化物纳米颗粒，或所述空穴传输层的材料为如权利要求5-10任一项所述方法制备的复合金属氧化物纳米颗粒。