[发明专利]半导体设备前端模块、半导体设备及晶圆处理方法

权利要求书

1.一种半导体设备前端模块，与反应腔室模块相连接，用于对待处理晶圆进行加工处理，其特征在于，所述半导体设备前端模块包括：

缓冲腔室，具有顶壁、前壁、后壁、第一侧壁及第二侧壁，所述顶壁与所述前壁、后壁、第一侧壁及第二侧壁均连接以形成缓冲腔室的密闭空间，其中，所述前壁经由加载互锁模块与所述反应腔室模块相连接；

至少两个晶圆装载端口，位于所述缓冲腔室内且位于所述第一侧壁及所述第二侧壁中的至少一侧，用于放置装载晶圆的前端开口晶圆盒；

至少一个机械手臂，位于所述缓冲腔室内，用于在所述前端开口晶圆盒和所述反应腔室模块之间传送晶圆；

开盒装置，与所述晶圆装载端口对应设置且与所述晶圆装载端口相连接，用于对放置于所述晶圆装载端口上的所述前端开口晶圆盒进行打开及关闭操作；及，

控制装置，与所述开盒装置电性连接，用于依据工艺需要将放置于所述晶圆装载端口的所述前端开口晶圆盒分别置于工作状态及待机状态，且确保一所述前端开口晶圆盒处于工作状态时，其他所述前端开口晶圆盒均处于待机状态，在处于工作状态的所述前端开口晶圆盒内的最后一片晶圆被传送至所述反应腔室模块的同时将其中一个处于待机状态的所述前端开口晶圆盒设定为工作状态并执行开盒操作；并控制所述开盒装置使得处于工作状态的所述前端开口晶圆盒在对待处理晶圆进行加工处理的过程中处于打开状态，并使得处于待机状态的所述前端开口晶圆盒处于关闭状态。

2.根据权利要求1所述的半导体设备前端模块，其特征在于：所述晶圆装载端口的数量在4个或4个以上，位于所述缓冲腔室内的所述晶圆装载端口皆位于所述第一侧壁及所述第二侧壁中的至少一侧。

3.根据权利要求1所述的半导体设备前端模块，其特征在于：所述半导体设备前端模块还包括至少一个过滤单元，位于所述缓冲腔室内且位于所述顶壁，用于对所述缓冲腔室进行净化。

4.根据权利要求1所述的半导体设备前端模块，其特征在于：所述开盒装置包括开盒块和气缸，所述开盒块与所述气缸相连接，通过所述气缸的上下移动带动所述开盒块上下移动，以实现对所述前端开口晶圆盒的打开及关闭操作。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体设备前端模块，其特征在于：所述半导体设备前端模块还包括扫描装置，位于所述开盒装置上且与所述开盒装置对应设置；所述控制装置还与所述扫描装置电性连接，用于在所述前端开口晶圆盒加载至所述晶圆装载端口后，控制所述开盒装置将所有所述前端开口晶圆盒打开的同时，控制所述扫描装置对所有所述前端开口晶圆内部进行扫描，以确定所述前端开口晶圆盒内所述待处理晶圆的水平状态及数量，并在扫描完毕后控制所述开盒装置将处于待机状态的所述前端开口晶圆盒关闭。

6.一种半导体设备，用于对待处理晶圆进行工艺处理，其特征在于：

反应腔室模块；

如权利要求1所述的半导体设备前端模块，所述半导体设备前端模块经由加载互锁模块与所述反应腔室模块相连接，用于将所述待处理晶圆传送至所述反应腔室模块内，并将完成工艺处理的晶圆移出所述反应腔室模块。

7.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于：所述反应腔室模块包括至少一个反应腔室，所述反应腔室选自于由刻蚀腔室、溅射腔室及曝光腔室所组成群组的其中之一。

8.根据权利要求6或7所述的半导体设备，其特征在于：所述加载互锁模块位于所述反应腔室模块和所述半导体设备前端模块之间且分别与所述反应腔室模块及所述半导体设备前端模块相连接，以对在所述半导体设备前端模块和所述反应腔室模块之间传送的晶圆进行加热、放热及缓冲功能。