[发明专利]一种多片碳化硅热解石墨烯制备方法在审
| 申请号： | 201711474197.2 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107954418A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 袁振洲;刘欣宇 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 石墨 制备 方法 | ||
1.一种多片碳化硅热解石墨烯制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
1)将多片SiC衬底清洗后置于退火架上；
2)采用SiC高温热分解法，在所述SiC衬底的表面生长厚度均匀的石墨烯。
2.根据权利要求1所述的多片碳化硅热解石墨烯制备方法，其特征在于，所述SiC衬底的晶型为4H、6H、3C、15R的单一晶型或这些晶型的混合物，导电类型为N型导电、高纯半绝缘，尺寸为2～8英寸。
3.根据权利要求1所述的多片碳化硅热解石墨烯制备方法，其特征在于，所述退火架为石墨、碳化钽材质，同时可置1～20片SiC衬底。
4.根据权利要求1所述的多片碳化硅热解石墨烯制备方法，其特征在于，所述SiC衬底径向温度梯度小于0.1℃/mm。
5.根据权利要求1所述的多片碳化硅热解石墨烯制备方法，其特征在于，所述SiC高温热分解法中SiC高温热分解的温度为1000℃～2000℃。
6.根据权利要求1所述的多片碳化硅热解石墨烯制备方法，其特征在于，所述SiC高温热分解法中SiC高温热分解的气氛为氩气或真空。
7.根据权利要求1所述的多片碳化硅热解石墨烯制备方法，其特征在于，所述SiC高温热分解法中SiC高温热分解的气氛压强为5～100kPa。
8.根据权利要求1所述的多片碳化硅热解石墨烯制备方法，其特征在于，所述SiC高温热分解法中SiC高温热分解的时间为1～60分钟。
9.根据权利要求1所述的多片碳化硅热解石墨烯制备方法，其特征在于，所述SiC衬底的表面生长的石墨烯的层数介于1～10层之间。
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