[发明专利]一种激光晶化制备多晶硅薄膜的方法及所得的产品和薄膜晶体管

权利要求书

1.一种激光晶化制备多晶硅薄膜的方法，步骤为：

S1、在玻璃基板上形成热敏电阻层；

S2、在热敏电阻层上形成非晶硅层；

S3、用激光脉冲照射晶化步骤S2的非晶硅膜层，同时采用电加热或者电磁加热的方法给热敏电阻层加热，使非晶硅层转化为多晶硅层；

所述的热敏电阻层为负温度系数NTC电阻层。

2.根据权利要求1所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述步骤S1前还包括在玻璃基板上形成隔离层的过程，所述的隔离层是氧化硅和氮化硅中的一种或两种。

3.根据权利要求2所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述步骤S2前还包括在热敏电阻层上形成缓冲层，所述的缓冲层是氧化硅和氮化中的一种或两种。

4.根据权利要求3所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述的隔离层、缓冲层使用PECVD方法形成；所述的热敏电阻层使用PECVD或者PVD或者涂覆、烧结的方法形成。

5.根据权利要求1所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述电加热或者电磁加热采用周期性脉冲加热，其频率与激光脉冲相同，加热持续时间比脉冲时间长。

6.根据权利要求5所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述步骤S3还包括在任一周期的激光脉冲之前提前给热敏电阻层加热，在该周期的激光脉冲结束后继续给热敏电阻层加热的过程。

7.根据权利要求1所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述热敏电阻层的组成材料包括金属氧化物和非氧化物两类；所述的金属氧化物是锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌中的至少一种；所述的非氧化物是碳化硅、硒化锡和氮化钽中的至少一种。

8.一种根据权利要求1、4、5、6和7中任一项制备多晶硅薄膜的方法所得的多晶硅薄膜，其特征在于：依次包括形成在玻璃基板(1)上的热敏电阻层(2)和多晶硅层(3)。

9.一种根据权利要求3制备多晶硅薄膜的方法所得的多晶硅薄膜，其特征在于：依次包括形成在玻璃基板(1)上的隔离层(4)、热敏电阻层(2)、缓冲层(5)和多晶硅层(3)。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于：包括权利要求8或9所述的多晶硅薄膜。