[发明专利]用于将查找表随机存取存储器元件重新用作配置随机存取存储器元件的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201711475353.7 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108376550B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: J.柯;D.西克达尔;T.钱德勒;K.董 申请(专利权)人: 阿尔特拉公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;H03K19/17728;H03K19/1776;H03K19/17736
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张凌苗;郑冀之
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 查找 随机存取存储器 元件 重新 用作 配置 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种集成电路,包括:

存储器单元列,其中存储器单元列的第一部分中的存储器单元在第一模式中和在不同于第一模式的第二模式中可操作,且其中存储器单元列的第二部分中的存储器单元仅在第一模式中可操作,

其中所述存储器单元列的所述第一部分中的每个存储器单元具有配置写端口和用户写端口,且所述存储器单元列的所述第二部分中的每个存储器单元具有配置写端口,

其中,在所述第一模式下,所述存储器单元列中的存储器单元被配置用于为查找表LUT供应配置位,

其中,在所述第二模式下,所述存储器单元存储用户数据,且

其中所述列中的每个存储器单元均具有读端口,所述集成电路进一步包括:

连接到所述读端口的读屏蔽电路。

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中存储器单元列的第一部分中的存储器单元在每个配置写端口处包括选通逻辑。

3.根据权利要求2所述的集成电路,其中存储器单元列的第二部分中的存储器单元在每个配置写端口处没有任何选通逻辑。

4.根据权利要求1所述的集成电路,其中读屏蔽电路包括下拉晶体管。

5.根据权利要求1所述的集成电路,进一步包括:

控制读屏蔽电路的地址解码逻辑。

6.根据权利要求5所述的集成电路,其中仅当第一部分中的存储器单元在第二模式中操作时且如果第一部分中的存储器单元当前正被访问,地址解码逻辑激活读屏蔽电路。

7.一种操作包括存储器单元列的集成电路的方法,方法包括:

在第一模式中操作存储器单元列的第一部分中的存储器单元,

在不同于第一模式的第二模式中操作存储器单元列的第一部分中的存储器单元;以及

仅在第一模式中操作存储器单元列的第二部分中的存储器单元,

其中所述存储器单元列的所述第一部分中的每个存储器单元具有配置写端口和用户写端口,且所述存储器单元列的所述第二部分中的每个存储器单元具有配置写端口,

其中,在所述第一模式下,所述存储器单元列中的存储器单元为查找表LUT供应配置位,

其中,在所述第二模式下,所述存储器单元存储用户数据,且

其中所述列中的每个存储器单元均具有读端口,所述集成电路进一步包括:

连接到所述读端口的读屏蔽电路。

8.根据权利要求7所述的方法,进一步包括:

利用写地址选通逻辑,选择性地仅选通第一部分中的存储器单元的配置写端口而不选通第二部分中的存储器单元的配置写端口。

9.根据权利要求7所述的方法,进一步包括:

利用读屏蔽电路,响应于在第二模式中操作第一部分中的存储器单元以进行写入时访问第一部分中的所选存储器单元而下拉列的读端口。

10.一种集成电路,包括:

第一存储器列,其包括双模式存储器单元,其中所述第一存储器列在第一模式中和在不同于第一模式的第二模式中可操作;以及

第二存储器列,其仅包括单模式存储器单元,其中所述第二存储器列仅在第一模式中可操作,

其中所述第一存储器列中的每个存储器单元具有配置写端口和用户写端口,所述第二存储器列中的每个存储器单元具有配置写端口,

其中,在所述第一模式下,所述第一存储器列中的存储器单元被配置用于为查找表LUT供应配置位,

其中,在所述第二模式下,所述存储器单元存储用户数据,以及

其中所述列中的每个存储器单元均具有读端口,所述集成电路进一步包括:

连接到所述读端口的读屏蔽电路。

11.根据权利要求10所述的集成电路,其中第一存储器列中的双模式存储器单元包括在查找表(LUT)模式和随机存取存储器(RAM)模式中可操作的查找表随机存取存储器(LUTRAM)单元。

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