[发明专利]一种晶圆自动扩晶机在审
申请号: | 201711475972.6 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108010873A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 龚利汀;左勇强 | 申请(专利权)人: | 无锡固电半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 扩晶机 | ||
1.一种晶圆自动扩晶机,包括压环气缸(1)、气缸固定支架(2)、压环气缸伸缩杆(3)、压环盘(4)、蓝膜固定架(7)、扩晶圆盘(8)、扩晶气缸伸缩杆(10)、扩晶气缸(11)和控制盒(12),其特征在于,所述压环气缸(1)固定在气缸固定支架(2)上,且压环气缸伸缩端(3)穿过气缸固定支架(2)与压环盘(4)固定,所述气缸固定支架(2)放置在控制盒(12)上,所述控制盒(12)内安装有扩晶气缸(11),所述扩晶气缸伸缩杆(10)穿出控制盒(12)的上盖与扩晶盘(8)固定,所述控制盒(12)上固定有蓝膜固定架(7),所述扩晶盘(8)位于蓝膜固定架(7)中心位置。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆自动扩晶机,其特征在于:控制盒(12)的前面板上设有扩晶盘下降按钮(15)、扩晶盘上升按钮(14)、压环盘下降按钮(13)、温控仪(16)、加热开关(17)、电源开关(18)、保险丝座(19),所述控制盒(12)内设有中间继电器(23)、两位五通单电控电磁阀(24)、三位五通中封式双电控电磁阀(22)和固态继电器(25);
所述加热开关(17)与温控器(16)的电源输入端连接,所述温控器(16)的输出端与固态继电器(25)连接,所述固态继电器(25)的输出端与扩晶盘(8)内的加热管电连接;所述电源开关(18)的输入端连接有保险丝座(19),输出端分别与加热开关(17)、单电控电磁阀(24)、双电控电磁阀(22)和中间继电器(23)电连接;用来控制压环气缸(1)的上下动作的单电控电磁阀(24)与压环盘下降按钮(13)电连接,用来控制扩晶气缸(11)的上下动作的双电控电磁阀(22)分为双电控电磁阀右线圈(22a)和双电控电磁阀左线圈(22b),所述双电控电磁阀右线圈(22a)与扩晶盘下降按钮(15)电连接,所述双电控电磁阀左线圈(22b)通过中间继电器常闭触点(23a)与扩晶盘上升按钮(14)电连接,所述中间继电器(23)与磁位置感应器(21)电连接。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆自动扩晶机,其特征在于:所述磁位置感应器21装在扩晶气缸11上。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆自动扩晶机,其特征在于:在控制盒(12)上,所述气缸固定支架(2)的高度高于蓝膜固定架(7)的高度。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆自动扩晶机,其特征在于:所述蓝膜固定架(7)中心为空心圆盘,露出扩晶盘(8),一侧装有可旋转的盖板(9),另一侧装有用于固定盖板(9)的卡销(6)。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆自动扩晶机,其特征在于:所述扩晶盘(8)圆周边缘设有小直径扩晶环(26),所述压环盘(4)圆周边缘设有大直径扩晶环(27),所述小直径扩晶环(26)能够嵌入大直径扩晶环(27)的内壁。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆自动扩晶机,其特征在于:所述蓝膜固定架(7)中心的空心圆盘边缘装有圆形胶垫(20),所述圆形胶垫(20)的直径大于扩晶盘(8)的直径。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡固电半导体股份有限公司,未经无锡固电半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711475972.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造