[发明专利]门多萨假单胞菌及其培养基、发酵方法和应用有效

专利信息
申请号: 201711476225.4 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108070544B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 夏雨;吴焯颖;胡亚冬;范德朋 申请(专利权)人: 佛山市碧沃丰生物科技股份有限公司
主分类号: C12N1/20 分类号: C12N1/20;C02F3/34;C12R1/38
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 胡枫
地址: 528200 广东省佛山市南海区桂城*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 门多萨假单胞菌 及其 培养基 发酵 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种门多萨假单胞菌的培养基,其特征在于,包括种子培养基、发酵培养基和补料培养基,其中,发酵培养基由下述组分组成:

淀粉15-30g/L,玉米浆干粉6-14g/L,磷酸氢二钾4-8g/L,硫酸铵2-5g/L,七水合硫酸镁0.1-0.4g/L;

所述补料培养基由下述组分组成:

淀粉150-300g/L、玉米浆干粉40-80g/L,磷酸氢二钾20-40g/L,硫酸铵10-25g/L,七水合硫酸镁0.5-2g/L。

2.如权利要求1所述的门多萨假单胞菌的培养基,其特征在于,所述种子培养基包括一级种子培养基,所述一级种子培养基由下述组分组成:

蛋白胨5-20g/L,葡萄糖5-20g/L,酵母粉3-7g/L,氯化钠3-7g/L。

3.如权利要求2所述的门多萨假单胞菌的培养基,其特征在于,所述种子培养基包括二级种子培养基,所述二级种子培养基由下述组分组成:

淀粉15-30g/L、玉米浆干粉6-14g/L,磷酸氢二钾4-8g/L,硫酸铵2-5g/L,七水合硫酸镁0.1-0.4g/L。

4.一种门多萨假单胞菌的发酵方法,其特征在于,包括:

(1)发酵前对发酵培养基及二级摇瓶种子液进行镜检,确保无杂菌污染;

(2)按4-8%的接种量将二级种子液接入发酵罐中;

(3)发酵开始后5-7h进行第一次补料,流加的补料培养基为发酵液体积的3-6%;发酵开始后15-17h进行第二次补料,流加的补料培养基为发酵液体积的0.1-3%;发酵结束时间为20-28h;

其中,发酵培养基由下述组分组成:

淀粉15-30g/L,玉米浆干粉6-14g/L,磷酸氢二钾4-8g/L,硫酸铵2-5g/L,七水合硫酸镁0.1-0.4g/L;

所述补料培养基由下述组分组成:

淀粉150-300g/L、玉米浆干粉40-80g/L,磷酸氢二钾20-40g/L,硫酸铵10-25g/L,七水合硫酸镁0.5-2g/L;

发酵过程的pH值设定为7.2-7.8,发酵温度设定为35-39℃。

5.如权利要求4所述的门多萨假单胞菌的发酵方法,其特征在于,发酵参数设定如下:转速500-700rpm,通气20-30L/min。

6.如权利要求4所述的门多萨假单胞菌的发酵方法,其特征在于,所述发酵培养基的制备方法如下:

(1)对发酵罐进行灭菌;

(2)加入4-6L自来水到发酵罐,倒入玉米浆干粉6-14g/L,搅拌至充分溶解;

(3)加入发酵培养基中的淀粉15-30g/L,磷酸氢二钾4-8g/L,硫酸铵2-5g/L,七水合硫酸镁0.1-0.4g/L,补加水至发酵罐总体积的60-70%;

(4)培养基组分充分溶解后,调pH至7.2-7.8后,灭菌,待温度下降到35-39℃时调pH至7.2-7.8,并校正溶氧为100%;

(5)灭菌后的培养基保温在30-40℃。

7.如权利要求4所述的门多萨假单胞菌的发酵方法,其特征在于,所述二级摇瓶种子液的制备方法如下:

(1)挑取新鲜培养的门多萨假单胞菌单菌落,接种至一级种子培养基中,于30-40℃,100-300rpm条件下培养10-14h作为一级摇瓶种子液;

(2)将一级摇瓶种子液确保无杂菌污染后,按0.1-3%的接种量将一级种子液接种于二级种子培养基中,于30-40℃,100-300rpm条件下培养14-20h作为二级种子液;

所述一级种子培养基由下述组分组成:

蛋白胨5-20g/L,葡萄糖5-20g/L,酵母粉3-7g/L,氯化钠3-7g/L;

所述二级种子培养基由下述组分组成:

淀粉15-30g/L、玉米浆干粉6-14g/L,磷酸氢二钾4-8g/L,硫酸铵2-5g/L,七水合硫酸镁0.1-0.4g/L。

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