[发明专利]具有旁路电容的电子模块卡结构有效
申请号: | 201711476403.3 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN109936912B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 陈松佑 | 申请(专利权)人: | 陈松佑 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/16 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;郑特强 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 旁路 电容 电子 模块 结构 | ||
一种具有旁路电容的电子模块卡结构包括主板、粘接层及导电贴板。主板具有一插接段及多个焊接垫,插接段分成贴合区及焊接区,多个焊接垫位于焊接区,焊接垫延伸第一延伸部。粘接层设于插接段的贴合区。导电贴板对应地固定于插接段,导电贴板具有硬质电路板及多个导电垫,导电垫具有外接触部及转接部;外接触部沿着插接方向设置于硬质电路板的外表面;转接部贯穿硬质电路板的外表面与内表面,并且连接于外接触部。多个导电垫的转接部对应地焊接于多个焊接垫,硬质电路板未设有导电垫的部分形成间隙于导电贴板与主板之间。至少一导电垫由转接部沿着硬质电路板的内表面延伸一第二延伸部,第二延伸部的部分重叠于第一延伸部的部分而形成一旁路电容。
技术领域
本发明涉及一种具有旁路电容的电子模块卡,特别是指一种应用于高频信号传输的电子模块卡,在传输信号的金属垫部分形成旁路电容,以减少噪声干扰。
背景技术
电脑的存储模块卡目前常见的是双倍数据率同步动态随机存取存储体(DoubleData Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称DDR SDRAM),为具有双倍数据传输率的SDRAM,其数据传输速度为系统时脉的两倍,有别于SDR(Single Data Rate)单一周期内只能读写一次,DDR的双倍指的就是单一周期内可读取或写入两次。在核心时脉不变的情况下,传输效率为SDR SDRAM的两倍。
由于高频传输信号的缘故,往往容易产生串音噪声干扰。
发明内容
本发明所要解决的技术问题,在于提供一种具有旁路电容的电子模块卡结构,通过旁路电容,减少噪声干扰,以改善高频信号传输的品质。
为了解决上述技术问题,根据本发明的其中一种方案,提供一种具有旁路电容的电子模块卡结构,其包括一主板、一粘接层及一导电贴板。所述主板具有一插接段及多个焊接垫,所述插接段的表面分成一贴合区及一焊接区,多个所述焊接垫位于所述焊接区,至少一所述焊接垫延伸一第一延伸部。所述粘接层设于所述插接段的所述贴合区。所述导电贴板对应地固定于所述插接段,每一所述导电贴板具有一硬质电路板及多个导电垫,每一所述导电垫具有一外接触部及一转接部;所述外接触部沿着一插接方向设置于所述硬质电路板的外表面;所述转接部贯穿所述硬质电路板的外表面与内表面,并且连接于所述外接触部。其中多个所述导电垫的所述转接部对应地焊接于所述主板的多个所述焊接垫,所述硬质电路板未设有所述导电垫的部分通过所述粘接层固接于所述插接段的所述贴合区,形成一间隙于所述导电贴板与所述主板之间。其中至少一所述导电垫由所述转接部沿着所述硬质电路板的内表面延伸一第二延伸部,所述第二延伸部的部分重叠于所述第一延伸部的部分。
本发明具有以下有益效果:本发明通过第二延伸部的部分重叠于所述第一延伸部的部分而形成一旁路电容,减少噪声干扰,以改善高频信号传输的品质。此外,本发明的电子模块卡结构设有导电贴板,可以降低主板的厚度,从而减少电子模块卡结构的总厚度。由此,相邻两片的电子模块卡结构之间可以有更大的缝隙可供散发余热,有助于信号的高速传输。
为了能更进一步了解本发明为达成既定目的所采取的技术、方法及技术效果,请参阅以下有关本发明的详细说明、附图,相信本发明的目的、特征与特点,当可由此得以深入且具体的了解,然而所附附图与附件仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制者。
附图说明
图1为本发明的具有旁路电容的电子模块卡结构的立体分解图。
图2为本发明的具有旁路电容的电子模块卡结构的立体组合图。
图3为本发明的电子模块卡结构的插接段局部放大的立体组合图。
图4为本发明的电子模块卡结构的插接段局部放大的立体分解图。
图5为本发明的电子模块卡结构的插接段另一角度的立体分解图。
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