[发明专利]一种发光器件的制备方法

说明书

本发明公开了一种发光器件的制备方法，包括：提供初始像素界定层，所述初始像素界定层包括像素界定区、第一像素界定层和位于第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第一像素界定层的横截面呈正梯形，所述第二像素界定层的横截面呈倒梯形，所述第二像素界定层由形状记忆聚合物组成；将横截面呈倒梯形的第二像素界定层变形处理至横截面呈正梯形的第二像素界定层，得变形像素界定层；通过溶液法在变形像素界定层的像素界定区沉积第一功能层；在沉积第一功能层后，将呈横截面正梯形的第二像素界定层恢复至横截面呈倒梯形的第二像素界定层，使变形像素界定层恢复为初始像素界定层，通过蒸镀法在所述初始像素界定层的像素界定区沉积第二功能层。

技术领域

本发明涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种发光器件的制备方法。

背景技术

量子点具有发光颜色易于调节、色彩饱和度高、可溶液加工、高稳定性等诸多优点，使得量子点发光二极管(QLED)被视为下一代显示技术的有力竞争者。量子点发光二极管通常采用多层结构，使得在实际制造QLED过程中，经常会同时用到两种或以上的薄膜制备方法。例如在正型量子点器件中，会按照阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极的顺序依次沉积薄膜，通常会在镀好阳极的基板上再依次沉积发光功能层、阴极，由于量子点层需要采用溶液法进行喷墨打印制备，为了简化工艺，量子点层以前的空穴注入层、空穴传输层也都会采用溶液法制备，电子传输层可以根据材料本身成膜性质，选择溶液法或者蒸镀法制备，而阴极墨水大面积成膜技术仍在实验开发阶段，目前只能使用蒸镀法制备，另外一些小分子电子传输材料由于溶液成膜性差，也会使用蒸镀法制备。

不同的制备方法对于像素界定层有不同的要求，蒸镀工艺中使用的隔离柱通常采用倒立梯形的结构，用于分割像素间的阴极，这样不仅可以避免低分辨率阴极模板的使用，提高器件整体分辨率，还能简化制造过程、防止阴极间短路；而喷墨打印中，如果采用倒梯形的像素界定层会影响器件像素的均匀性，甚至导致器件开路，因此需要使用正梯形结构，以实现表面的亲疏水性处理，更有利于控制像素的均匀性。因此单一结构的像素界定层难以满足全彩QLED制备复合工艺的需要，同时也会限定载流子传输层材料的使用。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种发光器件的制备方法，旨在解决现有单一结构的像素界定层难以满足全彩发光器件制备工艺需要的问题。

本发明的技术方案如下：

一种发光器件的制备方法，其中，包括步骤：

提供初始像素界定层，所述初始像素界定层包括像素界定区、第一像素界定层和位于所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第一像素界定层的横截面呈正梯形，所述第二像素界定层的横截面呈倒梯形，所述第二像素界定层由形状记忆聚合物组成；

将横截面呈倒梯形的第二像素界定层变形处理成横截面呈正梯形，得到变形像素界定层；

通过溶液法在变形像素界定层的像素界定区沉积第一功能层；

在沉积第一功能层后，将所述横截面呈正梯形的第二像素界定层恢复至成横截面呈倒梯形的第二像素界定层，使得变形像素界定层恢复为初始像素界定层，通过蒸镀法在所述初始像素界定层的像素界定区沉积第二功能层。

所述的发光器件的制备方法，其中，所述形状记忆聚合物为热致感应型形状记忆聚合物。

所述的发光器件的制备方法，其中，所述形状记忆聚合物为经改性的氰酸酯、环氧树脂基形状记忆聚合物或聚氨酯。

所述的发光器件的制备方法，其中，所述步骤将所述第二像素界定层变形处理至横截面呈正梯形的第二像素界定层，包括：