[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

对基底表面进行第一表面处理，第一表面处理采用的气体包括含硫气体；

进行第一表面处理后，对基底表面进行氧化处理，在基底表面形成氧化物层；

在所述氧化物层表面形成栅介质层；

所述第一表面处理的过程包括：采用所述含硫气体直接对基底表面进行处理；

在形成所述栅介质层之前，对所述氧化物层进行第二表面处理，第二表面处理采用的溶液包括四甲基氢氧化铵溶液。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述含硫气体包括H₂S。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一表面处理的过程包括：等离子体化所述含硫气体，形成等离子气体；采用所述等离子气体对基底表面进行处理。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，等离子体化所述含硫气体的源射频功率为500瓦～1200瓦。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一表面处理的参数还包括：含硫气体的流量为40sccm～120sccm，腔室压强为0.5mtorr～20mtoor，温度为500℃～1050℃，处理时间为60秒～150秒。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化处理包括湿法氧化处理。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述湿法氧化处理的参数包括：采用的溶液为含臭氧的水溶液，臭氧的浓度为10ppm～100ppm，氧化时间为30秒～120秒。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为8埃～12埃。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二表面处理的参数包括：四甲基氢氧化铵的质量百分比浓度为1％～4％，处理时间为30秒～120秒。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，四甲基氢氧化铵的质量百分比浓度为2.38％。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为高K介质材料。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述高K介质材料为Al₂O₃或HfO₂。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底包括半导体衬底和位于半导体衬底上的鳍部；所述第一表面处理作用于鳍部表面；所述氧化处理作用于鳍部表面；所述栅介质层横跨所述鳍部。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述鳍部的材料为单晶硅或者Ⅲ-Ⅴ族化合物材料。

15.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底为平面式半导体衬底；所述平面式半导体衬底的材料为单晶硅或者Ⅲ-Ⅴ族化合物材料。

16.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成栅电极层，所述栅电极层位于栅介质层上。

17.一种根据权利要求1至16任意一项方法形成的半导体器件。