[发明专利]单向低电容TVS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种单向低电容TVS器件，其特征在于，包括：

第一导电类型衬底；

第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层形成于所述第一导电类型衬底上；

第一导电类型埋层，所述第一导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层中；

第二导电类型埋层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型埋层上；

第二导电类型外延层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层上；

多个隔离结构，所述多个隔离结构贯穿所述第二导电类型外延层、所述第一导电类型埋层、所述第二导电类型埋层，所述多个隔离结构将所述第二导电类型外延层分为多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域；

第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区形成于所述第二区域中；

第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区形成于所述第一区域中；

其中，所述第二导电类型埋层部分位于所述第一导电类型外延层中，部分位于所述第二导电类型外延层中，所述第一区域中的第一导电类型注入区与第二导电类型外延层构成第一普通二极管；所述第一区域中的所述第一导电类型埋层与所述第二导电类型埋层构成稳压二极管；所述第二区域中的第二导电类型外延层与所述第一导电类型外延层构成第二普通二极管。

2.根据权利要求1所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，还包括：

金属线，所述金属线连接所述第二区域中的第二导电类型注入区和所述第一区域中的第一导电类型注入区。

3.根据权利要求2所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述金属线与电源连接，所述第一导电类型衬底与地连接。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

5.根据权利要求4所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底为重掺杂结构，所述第一导电类型外延层为轻掺杂结构，所述第一导电类型埋层为重掺杂结构，所述第二导电类型埋层为重掺杂结构，所述第二导电类型外延层为轻掺杂结构，所述第二导电类型注入区为重掺杂结构，所述第一导电类型注入区为重掺杂结构。

6.根据权利要求4所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底为重掺杂结构，所述第一导电类型外延层为轻掺杂结构，所述第一导电类型埋层为轻掺杂结构，所述第二导电类型埋层为重掺杂结构，所述第二导电类型外延层为轻掺杂结构，所述第二导电类型注入区为重掺杂结构，所述第一导电类型注入区为重掺杂结构。

7.根据权利要求4所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底的电阻率为0.005Ω.cm～0.008Ω.cm。

8.根据权利要求4所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电类型外延层的电阻率为2.0Ω.cm～4.0Ω.cm，厚度6.0μm～14.0μm。

9.根据权利要求4所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第二导电类型外延层的电阻率为25Ω.cm～35Ω.cm，厚度6.0μm～12.0μm。

10.根据权利要求5所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电埋层包括在所述第一导电类型外延层中注入的第一导电类型离子，所述第一导电类型离子的注入剂量为2.0E15～6.0E15。

11.根据权利要求6所述的单向低电容TVS器件，其特征在于，所述第一导电埋层包括在所述第一导电类型外延层中注入的第一导电类型离子，所述第一导电类型离子的注入剂量为1.0E14～8.0E14。