[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层，所述多量子阱层包括交替生长的多个量子阱和多个量子垒；

其特征在于，所述制备方法还包括：

在每个所述量子阱生长之前，控制温度为900℃～1300℃，采用氨气对所述量子阱的生长表面进行处理，使所述量子阱以氮极性表面进行生长；

所述制备方法还包括：

采用氨气对所述衬底的表面进行处理；

控制生长温度为900℃～1200℃，Ⅴ/Ⅲ比为40～200，采用三甲基铝和三甲基镓中的至少一种和氨气，在所述衬底上生长原子极化调整层，所述原子极化调整层是由金属元素和氮元素形成的化合物，所述金属元素包括铝和镓中的至少一个，所述原子极化调整层与设置在所述衬底上的表面相反的表面为氮极性表面；所述原子极化调整层的厚度为20nm～200nm，所述缓冲层的厚度为50nm～100nm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在采用氨气对所述量子阱的生长表面进行处理时，控制压力为100torr～500torr。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述采用氨气对所述量子阱的生长表面进行处理，包括：

采用氨气对所述量子阱的生长表面处理1min～5min。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层为P型掺杂的铝镓氮层，所述电子阻挡层生长所述P型氮化镓层的表面为氮极性表面。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层，包括：

在所述多量子阱层生长之后，采用氨气对所述多量子阱层的表面进行处理；

控制生长温度为400℃～1200℃，Ⅴ/Ⅲ比为40～1200，采用氨气和三甲基铝、三甲基镓生长电子阻挡层。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层为氮化镓层。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述提供一衬底，包括：

采用物理气相沉积技术在蓝宝石衬底上形成氮化铝薄膜。