[发明专利]经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物及其有机电致发光元件在审
| 申请号： | 201711480065.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109988159A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 黄贺隆;郭晃铭;赵登志;林祺臻;张敏忠 | 申请（专利权）人： | 昱镭光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C07D405/14 | 分类号： | C07D405/14;C07D401/10;C07D401/14;C07D409/14;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机电致发光元件 嘧啶化合物 二苯基 具式 耐热性 载子迁移 发光层 激子 | ||
1.一种具式(I)结构的经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物：
式中，X1表示经取代或未经取代的C6-30芳基、经取代或未经取代的含有选自由N、O、及S所组成组中的至少一杂原子的C5-30杂芳基；
A1表示经取代或未经取代的C6-30稠合多环芳香烃基、经取代或未经取代的含有选自由N、O、及S所组成组中的至少一杂原子的C5-30稠合多环芳香烃基；以及
n表示1或2的整数，且当n表示2时，A1各自为相同或相异。
2.如权利要求1所述的具式(I)结构的经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物，以式(I-1)或式(I-2)结构表示：
式中，X1表示经取代或未经取代的C6-30芳基、经取代或未经取代的含有选自由N、O、及S所组成组中的至少一杂原子的C5-30杂芳基；
A1表示经取代或未经取代的C6-30稠合多环芳香烃基、经取代或未经取代的含有选自由N、O、及S所组成组中的至少一杂原子的C5-30稠合多环芳香烃基；以及
n表示1或2的整数，且当n表示2时，A1各自为相同或相异。
3.如权利要求2所述的具式(I)结构的经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物，式中，X1为一价基团且选自经取代或未经取代的吡啶基、未经取代的萘基、未经取代的喹啉基或未经取代的苯基。
4.如权利要求2所述的具式(I)结构的经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物，以式(I-3)、式(I-4)或式(I-5)结构表示：
式中，A1表示经取代或未经取代的C6-30稠合多环芳香烃基、经取代或未经取代的含有选自由N、O、及S所组成组中的至少一杂原子的C5-30稠合多环芳香烃基；以及
n表示1或2的整数，且当n表示2时，A1各自为相同或相异。
5.如权利要求1所述的具式(I)结构的经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物，式中，A1选自下列结构所组成组中的一种：
式中，L选自由C、O、S及N所组成组中的一种；以及
R1至R4中的一个为单键并连接于式(I)化合物，其余的R1至R4各自独立表示氢、经取代或未经取代的C6-30芳基、经取代或未经取代的C5-30杂芳基。
6.如权利要求1所述的具式(I)结构的经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物，其特征在于，当n为1时，该式(I)化合物为式(I-6)或式(I-7)所示：
7.如权利要求1所述的具式(I)结构的经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物，其特征在于，当n为2时，该式(I)化合物为式(I-8)所示：
8.如权利要求7所述的具式(I)结构的经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物，其特征在于，A1为相同结构。
9.如权利要求8所述的具式(I)结构的经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物，选自下列化合物中的一种：
10.一种有机电致发光元件，包含：
阴极；
阳极；以及
有机层，介于该阴极与阳极之间，且该有机层包含如权利要求1所述的具式(I)结构的经吡啶取代的二苯基嘧啶化合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昱镭光电科技股份有限公司，未经昱镭光电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711480065.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
