[发明专利]光刻标记对准方法和芯片制备方法

说明书

本发明提供了一种光刻标记对准方法和芯片制备方法，涉及半导体器件制备技术领域，所述光刻标记对准方法包括如下步骤：先提供衬底，在衬底上进行初始外延生长，形成初始外延层；然后对初始外延层进行光刻标记，并形成初始对准标记凹槽；再在初始外延层上淀积薄膜，形成薄膜层，并使得初始对准标记凹槽被薄膜层填充；最后进行薄膜层的刻蚀，将初始外延层上的薄膜层去除，但保留初始对准标记凹槽中的薄膜层，得到填充有薄膜层的二次对准标记凹槽，达到了在后续进行外延层生长时，薄膜层能够阻止或降低二次对准标记凹槽中外延层的生长，保持二次对准标记凹槽的完整性，提高二次对准标记凹槽的识别效率的技术效果。

技术领域

本发明涉及半导体器件制备技术领域，尤其是涉及一种光刻标记对准方法和芯片制备方法。

背景技术

Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应管)中SuperJunction(超级结)结构是一种耐压层上的创新结构，该结构具有导通电阻低、耐压高、发热量低等特点，而且克服了传统MOSFET的“硅极限”。

超级结产品在工艺制造过程中通过多次外延生长、光刻和注入等工步来实现特定的阱区结构。由于外延生长是在衬底上沿着晶向进行大面积的掺杂生长，每经过一次外延生长后，芯片整体厚度增加，光刻标记也随着发生了形貌变化，使得光刻机难以自动识别。

目前，超级结产品常常通过多次光刻、腐蚀的方法改善光刻标记，但在传片、做片过程中增加了芯片沾污的几率，导致后续外延层的质量难以保证，同时还会增加了产品成本，影响产品的生产效率。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻标记对准标记方法，以改善现有超级结产品通过多次光刻、腐蚀的方法改善光刻标记，但在传片、做片过程中增加了芯片沾污的几率，导致后续外延层的质量难以保证，同时还会增加了产品成本，影响产品的生产效率

本发明提供的光刻标记对准方法，包括如下步骤：

(a)提供衬底，在衬底上进行初始外延生长，形成初始外延层；

(b)对初始外延层进行光刻标记，并形成初始对准标记凹槽；

(c)在初始外延层上淀积薄膜，形成薄膜层，并使得初始对准标记凹槽被薄膜层填充；

(d)进行薄膜层的刻蚀，将初始外延层上的薄膜层去除，但保留初始对准标记凹槽内的薄膜层，得到填充有薄膜层的二次对准标记凹槽。

进一步的，所述薄膜层选自二氧化硅、氮化硅和多晶中的至少一种。

进一步的，在步骤(b)中，采用光刻胶对初始外延层进行光刻标记。

进一步的，在步骤(d)中，采用刻蚀去除初始外延层上的薄膜层。

进一步的，所述初外延层的厚度为6～20μm，电阻率为9～50Ω·cm。

进一步的，所述初始对准标记凹槽的深度为0.8～1.5μm，所述初始对准标记凹槽的长度和宽度均为1～9μm。

进一步的，所述薄膜层的厚度为0.3～1.5μm。

进一步的，所述光刻标记对准方法，还包括步骤(e)，所述步骤(e)设置于所述步骤(d)之后，所述步骤(e)为在初始外延层上生长至少一层外延层。

进一步的，所述初始外延层上生长的外延层的厚度为6～20μm，优选为18μm。

本发明的目的在于提供一种芯片的制备方法，采用本发明提供的光刻标记对准方法进行对准标记。

本发明提供的技术方案，具有如下技术效果：