[发明专利]显示面板及其制作方法在审
申请号: | 201711481256.9 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108231840A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 张良芬;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素限定层 显示面板 平坦层 遮光层 薄膜晶体管 阳极 功能层 像素 限定孔 基板 阴极 显示效果 暴露 侧边 漏出 漏光 遮蔽 制作 贯穿 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶体管设置于所述基板上;
平坦层,设置于所述薄膜晶体管上;
阳极,设置于所述平坦层上且贯穿所述平坦层以与所述薄膜晶体管连接;
像素限定层,设置于所述平坦层上;
遮光层,设置于所述像素限定层上,所述遮光层和所述像素限定层中具有暴露所述阳极的像素限定孔;
OLED功能层,设置于暴露出的所述阳极上;
阴极,设置于所述遮光层和所述OLED功能层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:
有源层,设置于所述基板上;
第一绝缘层,设置于所述有源层上;
栅极,设置于所述第一绝缘层上;
第二绝缘层,设置于所述栅极、所述有源层和所述基板上;
源极和漏极,设置于所述第二绝缘层上且分别贯穿所述第二绝缘层以与所述有源层连接,所述平坦层设置于所述源极、所述漏极和所述第二绝缘层上,所述阳极贯穿所述平坦层以与所述漏极连接。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述OLED功能层从所述阳极到所述阴极顺序包括:空穴发生层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括盖板,所述盖板设置于所述遮光层上的所述阴极上。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述遮光层由黑色树脂材料制成。
6.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上形成平坦层;
在所述平坦层上形成贯穿所述平坦层以与所述薄膜晶体管连接的阳极;
在所述平坦层和所述阳极上形成像素限定层;
在所述像素限定层上形成遮光层;
在所述遮光层和所述像素限定层中形成暴露所述阳极的像素限定孔;
在暴露出的所述阳极上形成OLED功能层;
在所述遮光层和所述OLED功能层上形成阴极。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在基板上形成薄膜晶体管的方法包括:
在所述基板上形成有源层;
在所述有源层上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成栅极;
在所述栅极、所述有源层和所述基板上形成第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成分别贯穿所述第二绝缘层以与所述有源层连接的源极和漏极;其中,所述平坦层设置于所述源极、所述漏极和所述第二绝缘层上,所述阳极贯穿所述平坦层以与所述漏极连接。
8.根据权利要求6或7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在暴露的所述阳极上形成OLED功能层的方法包括:在暴露的所述阳极上依序形成叠层的空穴发生层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。
9.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:在所述遮光层上的所述阴极上形成盖板。
10.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,利用黑色树脂材料在所述像素限定层上形成所述遮光层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711481256.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:柔性显示面板的弯折区结构及其制作方法
- 下一篇:OLED显示器件及制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的