[发明专利]MEMS芯片结构

权利要求书

1.一种MEMS芯片结构，其特征在于，包括：基底，侧壁，介质板，MEMS微镜阵列以及格栅阵列，

所述侧壁为环形结构，所述基底覆盖所述侧壁的一侧开口，所述介质板覆盖所述侧壁的另一侧开口，所述侧壁，所述基底和所述介质板构成中空结构；

所述MEMS微镜阵列和所述格栅阵列位于所述中空结构内；

所述MEMS微镜阵列位于所述基底的上方，所述MEMS微镜阵列包括多个凹槽和多个MEMS微镜，其中，所述多个MEMS微镜和所述多个凹槽一一对应，所述多个MEMS微镜位于对应的凹槽内或位于对应的凹槽上方；

所述格栅阵列位于所述MEMS微镜阵列的上方，所述格栅阵列的下表面与所述多个凹槽中的至少部分凹槽的侧壁上表面连接，所述格栅阵列与所述介质板之间存在间隔，且所述格栅阵列的高度不小于所述多个凹槽中任一凹槽侧壁的上表面到所述介质板的距离的十分之一，其中，所述格栅阵列的材料包括硅、玻璃、树脂以及金属中的任意一种。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片结构，其特征在于，所述格栅阵列的上表面到所述基底的距离不小于所述多个MEMS微镜中任一MEMS微镜到所述基底的最远距离。

3.根据权利要求1或2所述的MEMS芯片结构，其特征在于，所述格栅阵列包括多个格栅单元，格栅单元为环形结构，其中，所述多个格栅单元和所述多个凹槽一一对应，所述格栅单元的边框宽度不大于对应的凹槽的侧壁宽度。

4.根据权利要求3所述的MEMS芯片结构，其特征在于，所述格栅单元的几何中心与对应的凹槽的几何中心的连线与对应的凹槽底面垂直。

5.根据权利要求1或2所述的MEMS芯片结构，其特征在于，所述介质板具备透光的特性。

6.根据权利要求1或2所述的MEMS芯片结构，其特征在于，所述MEMS芯片结构还包括焊球层，所述焊球层位于所述中空结构内，在所述基底和所述MEMS微镜阵列之间，用于将电极引出。

7.根据权利要求1或2所述的MEMS芯片结构，其特征在于，所述MEMS芯片结构还包括薄膜层，所述薄膜层位于所述中空结构内，在所述格栅阵列的下表面和所述多个凹槽侧壁上表面之间，所述薄膜层的热导率大于所述格栅阵列的热导率。

8.根据权利要求1或2所述的MEMS芯片结构，其特征在于，所述格栅阵列由半导体刻蚀工艺制备而成。

9.一种光开关，其特征在于，包括：输入端口阵列、输入端微镜阵列、输出端微镜阵列、输出端口阵列；

所述输入端口阵列，用于将接收光信号；

所述输入端微镜阵列，用于将所述输入端口阵列输出的光信号反射到所述输出端微镜阵列；

所述输出端微镜阵列，用于将所述输入端微镜阵列反射的光信号反射到所述输出端口阵列；

所述输出端口阵列，用于将接收到的光信号发送出去；

其中，所述输入端微镜阵列和所述输出端微镜阵列包括如权利要求1-8任一项所述的MEMS芯片结构，通过所述输入端微镜阵列和所述输出端微镜阵列包括的MEMS微镜的偏转，将从所述输入端口阵列中的一个输入端口输入的光信号交换到所述输出端口阵列的不同输出端口上去，实现光路交换。