[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管的制备方法、阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上依次制备形成栅电极、栅极绝缘层、金属氧化物有源层以及源电极和漏电极，其特征在于，所述栅电极包括衬垫层和铜金属层；其中，

在形成所述栅电极之后，首先在退火温度不超过270℃的条件下对所述栅电极进行退火处理，然后在所述栅电极上沉积形成所述栅极绝缘层；或者是，

在形成所述栅电极之后，在沉积温度不超过270℃的条件下，直接在所述栅电极上沉积形成所述栅极绝缘层。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：

S10、提供衬底基板，在所述衬底基板上依次沉积形成衬垫薄膜和铜金属薄膜，应用光刻工艺将所述衬垫薄膜和铜金属薄膜刻蚀形成图案化的栅电极；

S20、在所述栅电极上制备形成栅极绝缘层；其中，选择以下两者方式的其中之一制备形成所述栅极绝缘层：

方式一、首先在退火温度不超过270℃的条件下对所述栅电极进行退火处理，然后在沉积温度为300℃以上的条件下，在所述栅电极上沉积形成所述栅极绝缘层；

方式二、在沉积温度不超过270℃的条件下，直接在所述栅电极上沉积形成栅极绝缘层；

S30、在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜，在退火温度为200℃～450℃的条件下对所述金属氧化物薄膜进行退火处理，应用光刻工艺将所述金属氧化物薄膜刻蚀形成图案化的金属氧化物有源层；

S40、在所述金属氧化物有源层上沉积源漏电极薄膜，应用光刻工艺将所述源漏电极薄膜刻蚀形成图案化的源电极和漏电极。

3.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对所述栅电极进行退火处理的退火温度为170℃～270℃。

4.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述衬垫薄膜的材料为钼或钛，所述衬垫薄膜的厚度为所述铜金属薄膜的厚度为

5.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料为SiO_x或SiO_x与SiN_x的组合，所述栅极绝缘层的厚度为

6.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物薄膜的材料选自InZnO、ZnSnO、GaInZnO和ZrInZnO中的任意一种或两种以上，所述金属氧化物薄膜的厚度为

7.根据权利要求2所述的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述源漏电极薄膜的材料为铝或钼或者是两者的结合，所述源漏电极薄膜的厚度为

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1-7任一所述的制备方法在衬底基板上制备形成阵列排布的金属氧化物薄膜晶体管；

在所述金属氧化物薄膜晶体管上制备形成平坦层；

在所述平坦层制备形成图案化的像素电极。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述平坦层的材料为SiO_x或SiO_x与SiN_x的组合，所述平坦层的厚度为所述像素电极的材料为ITO，所述像素电极的厚度为

10.根据权利要求8或9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在沉积形成所述平坦层之后，在退火温度为200℃～450℃的条件下对所述平坦层进行退火处理。