[发明专利]易潮解晶体表面相位结构的磁流变制备方法

权利要求书

1.一种易潮解晶体表面相位结构的磁流变制备方法，包括以下步骤：

（1）配置非水基磁流变抛光液，将非水基磁流变抛光液加入磁流变机床循环系统，确定系统中非水基磁流变抛光装置工艺参数，运行抛光装置；

（2）对待加工的易潮解晶体进行磁流变抛光，使易潮解晶体的透射波前面形较平整；

（3）将表面相位结构的预设面形求反与步骤（2）所得抛光后易潮解晶体的实测面形叠加得到待加工面形误差，以待加工面形误差为基础，利用非水基磁流变抛光去除函数求解抛光驻留时间，然后利用求解出的抛光驻留时间生成数控加工代码，在数控加工代码的控制下进行磁流变抛光，得到表面相位结构；

（4）对步骤（3）得到的表面相位结构进行面形测量，通过面形匹配技术将测量的面形与预设面形比较获得精确的面形误差，再进行磁流变抛光，最终加工出高精度的表面相位结构；

所述步骤（2）中，具体操作如下：

（2.1）以易潮解晶体作为去除函数的试验样件，先采用波面干涉仪测量去除函数制作前的面形，采用非水基磁流变抛光装置工艺参数在试验样件上打出抛光斑点，采用波面干涉仪测量去除函数制作后的面形，将抛光去除函数制作前后的面形作差，得到非水基磁流变抛光去除函数；

（2.2）选取一个反射面，采用波面干涉仪测量面形误差，在驻留时间求解软件中导入步骤（2.1）所得非水基磁流变抛光去除函数和反射面面形误差，求解计算得到修形驻留时间文件；

（2.3）在数控代码生成软件中导入步骤（2.2）所得修形驻留时间文件，生成数控加工代码，在数控加工代码的控制下，采用非水基磁流变抛光装置工艺参数对反射面进行修整；

（2.4）以加工修整好的反射面为基准，采用磁流变抛光对透射波前面形误差进行修整，使透射波前面形较为平整。

2.根据权利要求1所述的易潮解晶体表面相位结构的磁流变制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，具体操作如下：

（3.1）采用波面干涉仪测量抛光后的易潮解晶体透射波前面形，与表面相位结构预设面形求反所得到的面形求和，得到待加工面形误差，在驻留时间求解软件中导入步骤（2.1）所得的非水基磁流变抛光去除函数和待加工面形误差，求解计算得到抛光驻留时间文件；

（3.2）在数控代码生成软件中导入步骤（3.1）所得的抛光驻留时间文件，生成加工表面相位结构的数控加工代码，在该数控加工代码的控制下，采用非水基磁流变抛光装置工艺参数对易潮解晶体进行磁流变抛光，得到表面相位结构。

3.根据权利要求2所述的易潮解晶体表面相位结构的磁流变制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，具体操作如下：

（4.1）采用波面干涉仪测量步骤（3.2）所得表面相位结构的面形，采用面型匹配软件将表面相位结构的测量面形与预设面形比较得到面形误差，在驻留时间求解软件中导入步骤（2.1）所得的非水基磁流变抛光去除函数和表面相位结构的面形误差，求解得到修整驻留时间文件；

（4.2）在数控代码生成软件中导入步骤（4.1）所得的修整驻留时间文件，生成数控加工代码，在该数控加工代码的控制下，采用非水基磁流变抛光装置工艺参数对工件进行修整，加工得到易潮解晶体表面连续相位结构。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的易潮解晶体表面相位结构的磁流变制备方法，其特征在于，所述非水基磁流变抛光装置工艺参数为：抛光轮与待加工易潮解晶体的相对速度为1m/s～3m/s，加工区域的最大磁场强度为210mT～230mT，压深为0.1mm～0.3mm，非水基磁流变抛光液的流量为100L/h～130L/h。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的易潮解晶体表面相位结构的磁流变制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，所述非水基磁流变抛光液包括烷氧基醇、磁敏颗粒、表面活性剂和去离子水。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的易潮解晶体表面相位结构的磁流变制备方法，其特征在于，所述磁流变抛光时的空气湿度在45%～55%。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的易潮解晶体表面相位结构的磁流变制备方法，其特征在于，每次磁流变抛光后迅速采用芳香烃清洗晶体表面。