[发明专利]高电源抑制比的超低功耗电源结构

权利要求书

1.一种高电源抑制比的超低功耗电源结构，其特征在于，包括：第一LDO电路、第二LDO电路、第一Bandgap模块、第二Bandgap模块以及切换电路；其中，

所述第一LDO电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压，并为SOC芯片的正常工作模式提供电流输出，所述第二LDO电路用于为超低功耗模式下提供所述LDO输出电压，并为所述SOC芯片的低功耗模式提供电流输出，所述第二LDO电路的电流输出小于所述第一LDO电路的电流输出；

所述第一Bandgap模块工作在主电源电压下，用于在上电启动时为所述第一LDO电路提供第一参考电压，所述第二Bandgap模块是工作在所述LDO输出电压下的基准源，用于在所述上电启动完成后为所述第二LDO电路提供第二参考电压；

所述切换电路包括上下电复位电路、振荡器电路、延迟电路以及第一电平转换电路，所述切换电路能够将所述上电启动时由所述第一Bandgap模块输出所述第一参考电压的模式切换为所述上电启动完成后由所述第二Bandgap模块输出所述第二参考电压的模式；

所述切换电路还包括电平选择模块，所述上下电复位电路包括POR模块，所述延迟电路包括延时模块，所述POR模块产生POR复位信号控制所述延时模块，所述延时模块控制所述电平选择模块，所述电平选择模块用于选择为所述第一LDO电路和所述第二LDO电路提供所述第一参考电压或者提供所述第二参考电压。

2.根据权利要求1所述的超低功耗电源结构，其特征在于，所述振荡器电路包括OSC振荡器，所述OSC振荡器能够输出时钟信号，所述第一电平转换电路包括三个信号输入端：EN1、EN2和POR信号输入端，以及两个信号输出端：ENH1信号输出端和ENH2信号输出端。

3.根据权利要求2所述的超低功耗电源结构，其特征在于，所述EN1和EN2信号输入端分别用来输入由所述SOC芯片发出的EN1和EN2控制信号，所述POR信号输入端用来输入所述POR复位信号，ENH1和ENH2信号输出端分别用来输出ENH1和ENH2信号，所述ENH1信号和ENH2信号分别控制所述第一LDO电路的第一LDO模块和所述第二LDO电路的第二LDO模块的开启和关闭。

4.根据权利要求3所述的超低功耗电源结构，其特征在于，当所述电源结构处于所述上电启动时，通过所述POR复位信号的控制，所述OSC振荡器能够为所述延时模块提供时钟，所述延时模块控制所述电平选择模块将所述第一Bandgap模块的使能打开，并选择为所述第一LDO电路提供所述第一参考电压，所述第一电平转换电路在所述POR复位信号的控制下打开所述第一LDO模块并关闭所述第二LDO模块。

5.根据权利要求2所述的超低功耗电源结构，其特征在于，当所述电源结构的处于上电过程中时，所述第二Bandgap模块启动，所述OSC振荡器由所述LDO输出电压提供电源，并由所述第二Bandgap模块提供偏置电流，所述OSC振荡器输出的时钟信号能够提供给所述延时模块，所述POR复位信号放开，当计满一定数量的OSC时钟延迟后，控制所述电平选择模块将所述第一Bandgap模块的使能关闭，并选择为所述第一LDO电路和所述第二LDO电路提供所述第二参考电压。

6.根据权利要求3所述的超低功耗电源结构，其特征在于，当所述电源结构完成所述上电启动时，当所述SOC芯片为低功耗模式时，通过关闭所述EN1控制信号和开启EN2控制信号来控制所述第一LDO模块的关闭和所述第二LDO模块的开启，从而通过超低功耗的所述第二Bandgap模块和所述第二LDO电路为所述SOC芯片的低功耗模式供电。

7.根据权利要求5所述的超低功耗电源结构，其特征在于，当所述电源结构完成所述上电启动时，通过所述SOC芯片的控制，将所述POR模块和所述OSC振荡器设置为关闭状态。