[发明专利]针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法有效
| 申请号： | 201711483390.2 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108365847B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 杨小坤;张海峰;原义栋;胡毅;何洋;李振国;靳嘉桢 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/14 | 分类号： | H03M1/14 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王崇 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 针对 电荷 sar adc 寄生 电容 校准 方法 | ||
1.一种针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR-ADC包括LSB电容阵列，其特征在于，将所述LSB电容阵列的所有上极板与第一补偿电路的一端相连，所述第一补偿电路的另一端接任意恒定电位，所述第一补偿电路由第一固定电容Cdl和第一可调电容Cdl′并联组成，通过调节所述第一补偿电路来调节SAR-ADC的非线性误差，
所述LSB电容阵列中单位电容值为Cu，共L位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2L-1Cu，且当所述LSB电容阵列的总电容值为CLt时，则如下关系式成立：
CLt＝(2L-1)·Cu+Cdl+Cdl′；
所述电荷型SAR-ADC还包括MSB电容阵列，将所述MSB电容阵列的所有上极板与第二补偿电路的一端相连，所述第二补偿电路的另一端一路通过选通开关接入任意恒定电位，另一路通过另一选通开关接入采样信号，所述第二补偿电路由第二固定电容和第二可调电容并联组成，通过调节所述第二补偿电路调节所述SAR-ADC的整体增益，
所述MSB电容阵列中单位电容值为Cu，共M位，从低位到高位分别以2倍的关系递增，最高位电容值为2M-1Cu。
2.根据权利要求1所述的针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法，其特征在于，所述第一可调电容Cdl′由多个电容组电路并联组成，
所述第一可调电容Cdl′中的每个所述电容组电路均由两个电容串联组成，并且其中一个电容与一个选通开关并联。
3.根据权利要求2所述的针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法，其特征在于，所述第一可调电容中的每个所述电容组电路中的电容取值相同或不同。
4.根据权利要求1所述的针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法，其特征在于，所述第二可调电容由N个电容组电路并联组成，
所述第二可调电容中的每个电容组电路均由两个电容串联组成，并且其中一个电容与一个选通开关并联。
5.根据权利要求4所述的针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法，其特征在于，所述第二可调电容中的每个所述电容组电路中的电容取值相同或不同。
6.根据权利要求1所述的针对电荷型SAR-ADC寄生电容的校准方法，所述电荷型SAR-ADC还包括比较器，其特征在于，所述电荷型SAR-ADC的采样只针对所述MSB电容阵列进行，在转换过程中，根据所述比较器判别结果将各个权重电容的下极板陆续接到基准电位上，当采样电容与接到基准电位的总电容之比等于1时，所述电荷型SAR-ADC增益为1；当采样电容与接到基准电位的总电容之比大于1时，所述电荷型SAR-ADC增益为小于1；当采样电容与接到基准电位的总电容之比小于1时，所述电荷型SAR-ADC增益为大于1。
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