[发明专利]LED背光源、背光模组及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种LED背光源、背光模组及液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display,简称LCD)，属于平面显示器的一种，广泛应用于电视机、计算机、智能电话、手机、汽车导航装置、电子书等产品中。液晶显示装置具有耗电量低、体积小、辐射低的优点逐渐取代阴极射线管(CathodeRayTube,简称CRT)显示装置。

目前LED背光的结构是利用蓝光LED去激发黄色或是红色与绿色荧光粉形成白光背光源。但是荧光粉发光效率低、光谱频宽较宽，使液晶显示器在亮度和色域遇到瓶颈。纳米量子点为一种最新型的半导体荧光材料，具有发光效率更高、使用寿命更长和颜色纯度更好等优点，已经以光学膜的形式应用在LCD的背光模块上。藉由量子点材料成膜后搭配蓝色LED背光源的背光模块结构，应用到液晶显示器当中来取代传统荧光粉来提高发光效率。

在目前的现有技术中，液晶显示装置架构上仍然需要使用吸收式的偏光片与彩色光阻，该结构限制了液晶显示装置的厚度，很难做到更加轻薄，此外应用于液晶显示装置量子点薄膜技术还存在材料利用率不高，光学效率不高的缺点。

发明内容

为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出一种LED背光源、背光模组及液晶显示装置。该LED背光源包括双色LED芯片及设置于所述双色LED芯片上的量子点薄膜；其中，

所述双色LED芯片包括蓝光发光组件6111和红光发光组件6112；

所述量子点薄膜包括绿光量子点6113、蓝光量子点6115、透明光阻6116。

在本发明的一个实施例中，所述双色LED芯片还包括SiO₂隔离壁，设置于所述蓝光发光组件6111与所述红光发光组件6112之间。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光发光组件6111包括GaN材料。

在本发明的一个实施例中，所述红光发光组件6112包括GaN材料。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光发光组件6111的正电极与所述红光发光组件6112的正电极为公共正电极组件。

在本发明的一个实施例中，所述量子点薄膜还包括黑色矩阵6114，分别设置于绿光量子点6113、蓝光量子点6115之间以及蓝光量子点6115、透明光阻6116之间。

在本发明的一个实施例中，所述绿光量子点6113为ZnSe/CdSe/ZnS量子点。

在本发明的一个实施例中，所述蓝光量子点6115为ZnCdS合金量子点。

本发明的又一个实施例提出的一种背光模组61包括保护层612、第一基板613、介质层614及金属线栅偏振层615，还包括由上述任一项实施例所述的LED背光源611。

本发明的另一个实施例提出的一种液晶显示装置，包括第一电极62、液晶分子层63、第二电极64、第二基板65及偏光片66，还包括由上述实施例所述的背光模组61。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

1、本发明提出的利用双色LED芯片作为背光源，该双色LED芯片集成了蓝光发光组件、红光发光组件，发光效率高，面积小，成本低；

2、本发明提出的背光源具有高色域的特性，且具有较大的发光亮度，从而能够提高显示装置的显示色域及发光亮度；

3、本发明提出的液晶显示装置免去了彩色膜组的使用，极大地降低了液晶显示装置的厚度，提高出光效率，降低功耗。

附图说明

下面将结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细的说明。

图1为本发明实施例提供的一种LED背光源结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种背光模组结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种金属线栅偏振层结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种液晶显示装置结构示意图；

图5为本发明提供的一种双色LED芯片结构示意图；

图6为本发明提供的又一种双色LED芯片结构示意图；

图7为本发明提供的一种蓝光发光组件结构示意图；

图8为本发明提供的一种InGaN/GaN多量子阱有源层结构示意图；

图9为本发明提供的包括第一凹槽和SiO₂隔离壁的LED芯片结构示意图；

图10为本发明提供的在蓝光发光组件上生成的红光发光组件的结构示意图；

图11为本发明提供的一种p型A1GaInP阻挡层结构示意图；