[发明专利]背光模组及液晶显示装置

权利要求书

1.一种背光模组，其特征在于，包括：LED光源(402)、导光板(403)、反射片(405)、扩散膜(406)及增亮膜(407)；其中，

所述LED光源(402)设置于所述导光板(403)的任意一侧；

所述反射片(405)设置于所述导光板(403)下，用于将部分从所述导光板(403)非光出射面出射的光反射回所述导光板(403)；

所述增亮膜(407)设置于所述导光板(403)上；

所述扩散膜(406)设置于所述增亮膜(407)上；

其中，所述LED光源(402)包括：基底(4021)、紫外光源(4023)、蓝光光源(4024)、绿色发光材料(4025)、红色发光材料(4026)及多层膜反射板(4027)；

其中，

所述紫外光源(4023)以及所述蓝光光源(4024)设置于所述基底(4021)内；

所述绿色发光材料(4025)设置于所述紫外光源(4023)上；

所述红色发光材料(4026)设置于所述蓝光光源(4024)上；

所述多层膜反射板(4027)设置于所述基底(4021)上；

所述紫外光源(4023)和蓝光光源(4024)为双色LED芯片；

该双色LED芯片(10)包括：衬底(11)、GaN蓝光外延层(12)、GaN紫外光外延层(13)、隔离层(14)、电极(15)、钝化层(16)及反光层(17)；其中，所述GaN蓝光外延层(12)、所述GaN紫外光外延层(13)及所述隔离层(14)均设置于所述衬底(11)上表面且所述隔离层(14)位于所述GaN蓝光外延层(12)与所述GaN紫外光外延层(13)之间；所述电极(15)分别设置于所述GaN蓝光外延层(12)与所述GaN紫外光外延层(13)上；所述钝化层(16)设置于所述GaN蓝光外延层(12)、所述GaN紫外光外延层(13)及所述隔离层(14)上表面；所述反光层(17)设置于所述衬底(11)下表面；

所述GaN蓝光外延层(12)包括依次层叠于所述衬底(11)上表面第一指定区域的第一GaN缓冲层(121)、第一GaN稳定层(122)、第一n型GaN层(123)、第一有源层(124)、第一p型AlGaN阻挡层(125)及第一p型GaN接触层(126)；其中，所述第一有源层(124)为InGaN量子阱(1241)/GaN势垒(1242)多重结构；

所述GaN紫外光外延层(13)包括依次层叠于所述衬底(11)上表面第二指定区域的第二GaN缓冲层(131)、第二GaN稳定层(132)、第二n型GaN层(133)、第二有源层(134)、第二p型AlGaN阻挡层(135)及第二p型GaN接触层(136)；其中，所述第二有源层(134)为Al_1-xGa_xN量子阱(1341)/Al_1-yGa_yN势垒(1342)多重结构；

其中，所述GaN紫外光外延层(13)的形成过程包括：在所述衬底(11)上依次生长第一GaN缓冲层(121)、第一GaN稳定层(122)、第一n型GaN层(123)、第一有源层(124)、第一p型AlGaN阻挡层(125)及第一p型GaN接触层(126)，在第一p型GaN接触层(126)上表面淀积第一SiO₂层，在所述第一SiO₂层上形成第一待刻蚀区域，在所述第一待刻蚀区域向下刻蚀所述GaN蓝光外延层(12)的各层直至露出所述衬底(11)，形成第一凹槽，去除所述第一SiO₂层，并在所述第一凹槽内淀积第二SiO₂层；选择性刻蚀所述第二SiO₂层，以在所述第一凹槽四周形成SiO₂隔离层，所述SiO₂隔离层内部区域作为紫外光灯芯槽；在所述紫外光灯芯槽底部由下至上依次生长第二GaN缓冲层(131)、第二GaN稳定层(132)、第二n型GaN层(133)、第二有源层(134)、第二p型AlGaN阻挡层(135)及第二p型GaN接触层(136)。

2.根据权利要求1所述的背光模组，其特征在于，所述基底(4021)包括底座及设置于所述底座四周的侧壁，所述多层膜反射板(4027)覆盖于所述基底(4021)的侧壁上以封闭所述基底(4021)。