[发明专利]离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法在审
| 申请号： | 201711485048.6 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109987644A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 许开华;张云河;叶建;陈元骁 | 申请（专利权）人： | 荆门市格林美新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;H01M4/525 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果;侯峰 |
| 地址： | 448124 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 羟基氧化钴 前驱体 离子掺杂 氨水 层状结构 反应浆液 反应釜 液碱 制备 钴酸锂正极材料 进料速度控制 电化学性能 金属掺杂剂 液相合成法 高温煅烧 合成成本 降低生产 离心洗涤 去离子水 直接合成 氯化钴 陈化 底液 嵌锂 煅烧 配制 能耗 | ||
1.一种离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，其特征在于，其方法通过以下步骤实施：
步骤1，将去离子水、氨水以及液碱加入反应釜，然后向反应釜通入氧气并搅拌，获得底液；
步骤2，将配制好的氯化钴和金属掺杂剂、氨水和液碱加入含有所述底液的反应釜中，调整所述氯化钴和金属掺杂剂的进料速度以控制反应，待反应釜中的固含量达到100～300g/L，停止进料，获得反应浆液；
步骤3，将所述步骤2获得的反应浆液进行陈化，然后离心洗涤，最后干燥，获得离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体。
2.根据权利要求1所述的离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，其特征在于，所述步骤1中去离子水的加入量为3～4m3，所述步骤1中通入氧气的流量为1～3m3/h。
3.根据权利要求2所述的离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，其特征在于，所述步骤1中搅拌速度为150～350rpm，搅拌时间为2～10h。
4.根据权利要求3所述的离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，其特征在于，所述步骤1和步骤2中的去离子水中的氨水的含量均保持为1～5g/L。
5.根据权利要求4所述的离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，其特征在于，所述步骤1和步骤2的反应过程中的pH值均保持为8～11。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，其特征在于，所述步骤2中氯化钴的浓度为80～120g/L，氯化钴的进料速度为20～100L/h。
7.根据权利要求6所述的离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，其特征在于，所述步骤2中金属掺杂剂为氯化金属盐，所述金属掺杂剂的加入量1～10g/L为所述金属掺杂剂的进料速度为10～30L/h。
8.根据权利要求7所述的离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，其特征在于，所述金属掺杂剂为氯化钛、氯化镁或氯化锆中的一种。
9.根据权利要求8所述的离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，其特征在于，所述步骤3中陈化时间为1～10h。
10.根据权利要求9所述的离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，其特征在于，所述步骤3中洗涤温度为50～80℃，干燥温度为100～150℃。
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