[发明专利]一种散热太阳能电池复合背板及其制备方法有效
申请号: | 201711485146.X | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108231931B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 张军 | 申请(专利权)人: | 湖南盛德节能环保科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/052 |
代理公司: | 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126 | 代理人: | 陈思聪 |
地址: | 410000 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属基板 含氟树脂层 聚酯树脂层 制备 复合背板 高效散热 太阳能电池 环形凸起 柱状凸起 干燥处理 依次层叠 热压合 散热型 上表面 下表面 粘结剂 背板 光伏 涂刷 | ||
1.一种散热太阳能电池复合背板的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)在第一金属基板的上表面和下表面分别形成多个柱状凸起,并在每个所述柱状凸起周围均形成一第一环形凸起,每个所述柱状凸起与每个所述第一环形凸起之间具有一第一间隙,在第二金属基板和第三金属基板的一面形成多个第二环形凸起,在第二金属基板和第三金属基板的另一面形成多个凹槽,其中每个第二环形凸起能够嵌入所述第一间隙中;
2)在第一含氟树脂层的一面以及第二含氟树脂层的一面分别涂刷粘结剂,在第一聚酯树脂层以及第二聚酯树脂层各自的上表面和下表面分别涂刷粘结剂,并进行干燥处理;
3)在所述第二金属基板的下表面铺设所述第一含氟树脂层,在所述第二金属基板的上表面铺设第一聚酯树脂层,接着在所述第一聚酯树脂层上铺设所述第一金属基板,接着在所述第一金属基板的上表面铺设第二聚酯树脂层,接着在所述第二聚酯树脂层上铺设所述第三金属基板,接着在所述第三金属基板的上表面铺设所述第二含氟树脂层;
4)进行热压合处理,所述第二、第三金属基板表面的多个所述第二环形凸起分别一一嵌入所述第一金属基板表面的多个所述第一间隙中,以得到所述散热太阳能电池复合背板。
2.根据权利要求1所述的散热太阳能电池复合背板的制备方法,其特征在于:所述步骤1)中,多个所述柱状凸起呈矩阵排列,多个所述凹槽呈矩阵排列。
3.根据权利要求1所述的散热太阳能电池复合背板的制备方法,其特征在于:所述步骤2)中的所述干燥处理的温度为80-110℃以及时间为30-60秒。
4.根据权利要求1所述的散热太阳能电池复合背板的制备方法,其特征在于:所述步骤3)中,所述第一金属基板、第二金属基板和第三金属基板中设置有对准标识,所述第一含氟树脂层中涂刷有粘结剂的一面朝向第二金属基板的下表面,所述第二含氟树脂层中涂刷有粘结剂的一面朝向第三金属基板的上表面,所述第一金属基板表面的多个所述第一间隙分别与所述第二、第三金属基板表面的多个所述第二环形凸起分别一一对应。
5.根据权利要求1所述的散热太阳能电池复合背板的制备方法,其特征在于:所述步骤4)中的热压合处理的具体工艺为:具体工艺为:以6-9℃/min升温至70-90℃,同时以压力增加速率为每分钟增加2-3Kg/cm2的条件将压力增至20-30Kg/cm2,保持20-40分钟,接着以4-5℃/min升温至100-120℃,以压力增加速率为每分钟增加3-5Kg/cm2的条件将压力增至50-60Kg/cm2,保持40-60分钟,接着以4-5℃/min降温至70-90℃,以压力降低速率为3-5Kg/cm2的条件将压力降至20-30Kg/cm2,保持5-10分钟,接着以压力降低速率为2-3Kg/cm2的条件将压力降为0,保持温度为70-90℃,固化50-70小时,最后冷却至室温。
6.根据权利要求5所述的散热太阳能电池复合背板的制备方法,其特征在于:所述步骤4)中,所述第一含氟树脂层的一部分嵌入所述第二金属基板的多个凹槽中,所述第二含氟树脂层的一部分嵌入所述第三金属基板的多个凹槽中。
7.根据权利要求1所述的散热太阳能电池复合背板的制备方法,其特征在于:所述第一含氟树脂层、所述第一聚酯树脂层、所述第二聚酯树脂层以及所述第二含氟树脂层中均含有导热颗粒。
8.根据权利要求1所述的散热太阳能电池复合背板的制备方法,其特征在于:所述第一含氟树脂层和所述第二含氟树脂层中的含氟树脂为聚氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯中的一种或多种的混合物,所述第一聚酯树脂层和所述第二聚酯树脂层中的聚酯树脂为PET、PEN、PBT中的一种或多种的混合物。
9.一种散热太阳能电池复合背板,其特征在于,采用权利要求1-8任一项所述的方法制备形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的