[发明专利]IBC太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201711485736.2 | 申请日: | 2017-12-30 |
公开(公告)号: | CN108269873B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 王子谦;刘大伟;翟金叶;张伟;孟庆超;沈艳娇;李锋;张建旗 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 王丽巧 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 根焊 相邻电池单元 短路电流 焊带 化栅 制备 太阳能电池领域 正极 电池单元串联 负极 电池单元 激光划线 间隔连接 绝缘浆料 开路电压 连接位置 组件封装 组件设备 电池片 电阻 减小 竖直 绝缘 封装 电池 印刷 | ||
1.IBC太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
制备IBC电池片;
将所述IBC电池片均分成偶数个相同的电池单元,且相邻的所述电池单元之间采用激光绝缘;
对IBC电池片进行绝缘浆料的印刷、烘干;所述绝缘浆料按以下规则分布:P型金属化栅线和N型金属化栅线上均印刷有等间距分布的绝缘浆料,同一所述电池单元中,相邻的所述P型金属化栅线和所述N型金属化栅线上的所述绝缘浆料错位设置,相邻的所述电池单元中,相邻的所述P型金属化栅线和所述N型金属化栅线上的所述绝缘浆料对应设置;
沿竖直方向成列分布的每一列所述绝缘浆料若通过焊带相连,每根所述焊带在竖直方向上分别连接相邻的所述电池单元的正极和负极。
2.如权利要求1所述的IBC太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述制备IBC电池片包括:
在硅片非受光面制备指状交替的P型区和N型区;
在形成的所述P型区和N型区进行湿化学表面清洁及硅片两面沉积SiNx膜;
对沉积了所述SiNx膜的硅片进行丝网印刷、烧结,同时形成P型区和N型区的金属化栅线,形成所述IBC电池片。
3.如权利要求2所述的IBC太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述P型区和N型区通过扩散工艺形成,所述扩散工艺中硅片采用单面扩散工艺。
4.如权利要求2所述的IBC太阳能电池的制备方法,其特征在于:经PECVD工艺进行SiNx沉积钝化,形成的所述SiNx膜的厚度为30nm-300nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利能源(中国)有限公司,未经英利能源(中国)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711485736.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的