[发明专利]一种准芯片功率放大器

权利要求书

1.一种准芯片功率放大器，其特征在于：包括输入匹配电路与栅极偏置电路的组合模块、放大器管芯以及输出匹配电路与漏极偏置电路的组合模块，所述输入匹配电路与栅极偏置电路的组合模块连接到所述放大器管芯的栅极，所述放大器管芯的漏极连接到输出匹配电路与漏极偏置电路的组合模块；所述放大器管芯用于对输入信号进行放大；所述输入/输出匹配电路用于放大器管芯输入/输出阻抗与输入/输出端口欧姆阻抗匹配；所述栅极/漏极偏置电路用于对射频信号进行扼流。

2.如权利要求1所述的准芯片功率放大器，其特征在于：所述输入匹配电路包括T型匹配结构、至少两路微带匹配结构以及与微带结构同路数的金丝，所述T型匹配结构、至少两路微带匹配结构以及金丝依次连接。

3.如权利要求2所述的准芯片功率放大器，其特征在于：所述T型匹配结构由微带TL1、TL2并联电容C2构成。

4.如权利要求1所述的准芯片功率放大器，其特征在于：所述栅极偏置电路由电阻和微带串联后并联电容构成，该栅极偏置电路用于抑制射频输入信号从放大器管芯栅极馈电电源端泄漏以及为该放大器管芯提供栅极电压；所述漏极偏置电路由微带并联电容构成，用于抑制输出信号向漏极馈电电源端泄漏，同时为放大器管芯提供漏极电压。

5.如权利要求1所述的准芯片功率放大器，其特征在于：所述输入匹配电路与栅极偏置电路的组合模块作为放大器的输入部分，其由金丝或金带连接到放大器管芯的栅极。

6.如权利要求1所述的准芯片功率放大器，其特征在于：所述输出匹配电路和漏极偏置电路的组合模块作为放大器的输出部分，其由金丝或金带连接到放大器管芯的漏极。

7.如权利要求1所述的准芯片功率放大器，其特征在于：还包括前级功率放大器，所述前级功率放大器与所述输入匹配电路与栅极偏置电路的组合模块的输入端连接。

8.如权利要求7所述的准芯片功率放大器，其特征在于：所述前级功率放大器上集成有驱动级砷化镓功率放大管芯，所述砷化镓功率放大管芯的漏极连接有由电容和微带并联组成的馈电电路；栅极连接有前级功率放大器的前级输入匹配电路和偏置电路的组合模块。

9.如权利要求1-8中任一权利要求所述的准芯片功率放大器，其特征在于：所述放大器管芯为有源氮化镓芯片。

10.如权利要求1-8中任一权利要求所述的准芯片功率放大器，其特征在于：所述输入/输出匹配电路、栅极/漏极偏置电路的制造材料包括GeSi材料、SiC材料、金刚石材料和高阻硅材料。