[发明专利]用于转移微发光二极管的转移头以及转移方法

权利要求书

1.一种用于转移微发光二极管的转移头，所述转移头包括：

抓取部，由记忆合金形成，包括指状部分；以及

温度控制元件，被构造为连接到抓取部，且控制抓取部的温度，

其中，根据所要转移的微发光二极管，所述指状部分被构造为：在第一温度下舒展，足以与微发光二极管分离；在第二温度下收缩，足以抓取微发光二极管，所述第二温度高于所述第一温度。

2.根据权利要求1所述的转移头，所述转移头还包括：

承载部件，用于承载抓取部和温度控制元件。

3.根据权利要求2所述的转移头，其中：

温度控制元件完全嵌入承载部件，抓取部部分地嵌入承载部件。

4.根据权利要求3所述的转移头，其中，抓取部还包括：

固定部分，嵌入温度控制元件中；以及

主体部分，连接固定部分和指状部分，形成在温度控制元件和承载部件的表面上。

5.根据权利要求1所述的转移头，其中：

抓取部为在通过溅射沉积和晶化热处理而形成记忆合金薄膜后在加工温度下加工形成。

6.根据权利要求1所述的转移头，其中：

记忆合金包括Au-Cd、Ag-Cd、Cu-Zn、Cu-Zn-Al、Cu-Zn-Sn、Cu-Zn-Si、Cu-Sn、Cu-Zn-Ga、In-Ti、Au-Cu-Zn、NiAl、Fe-Pt、Ti-Ni、Ti-Ni-Pd、Ti-Nb、U-Nb和Fe-Mn-Si中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的转移头，其中：

指状部分的长度为微发光二极管的高度的1倍至1.5倍，舒展的指状部分之间的最大距离为微发光二极管的宽度的1.5倍至2倍。

8.一种用于转移微发光二极管的转移方法，所述转移方法包括：

在第一温度下将转移头移动到被提供在基板上的微发光二极管的上方，转移头为权利要求1至权利要求7之一所述的转移头；

驱动温度控制元件使得转移头的抓取部的温度从第一温度变为第二温度，抓取部收缩将微发光二极管抓取，转移至目标基板；

驱动温度控制元件使得转移头的抓取部的温度从第二温度变为第三温度，抓取部舒展，使得转移头与微发光二极管分开。

9.根据权利要求8所述的转移方法，其中：

转移头抓取微发光二极管的作用力足以克服微发光二极管与提供微发光二极管的基板之间的作用力以及微发光二极管的重力。

10.根据权利要求8所述的转移方法，其中：

在将转移头移动到被提供在基板上的微发光二极管的上方的步骤中，转移头与微发光二极管之间的距离为1μm至3μm。