[发明专利]LED光源、背光模组及液晶显示装置

权利要求书

1.一种LED光源(402)，其特征在于，包括：基底(4021)、第一蓝光光源(4023)、第二蓝光光源(4024)、绿色发光材料(4025)、红色发光材料(4026)及多层膜反射板(4027)；其中，

所述第一蓝光光源(4023)以及所述第二蓝光光源(4024)设置于所述基底(4021)内；

所述绿色发光材料(4025)设置于所述第一蓝光光源(4023)上；

所述红色发光材料(4026)设置于所述第二蓝光光源(4024)上；

所述多层膜反射板(4027)设置于所述基底(4021)上；

其中，所述第一蓝光光源(4023)和所述第二蓝光光源(4024)均为横向LED蓝光芯片；

所述横向LED蓝光芯片包括：衬底(11)、第一GaN蓝光外延层(12)、第二GaN蓝光外延层(13)、隔离层(14)、电极(15)、钝化层(16)及反光层(17)；其中，所述第一GaN蓝光外延层(12)、所述第二GaN蓝光外延层(13)及所述隔离层(14)均设置于所述衬底11上表面，且所述隔离层(14)位于所述第一GaN蓝光外延层(12)与所述第二GaN蓝光外延层(13)之间；所述电极(15)分别设置于所述第一GaN蓝光外延层(12)与所述第二GaN蓝光外延层(13)上；所述钝化层(16)设置于所述第一GaN蓝光外延层(12)、所述第二GaN蓝光外延层(13)及所述隔离层(14)上表面；所述反光层(17)设置于所述衬底(11)下表面；

所述第一GaN蓝光外延层(12)包括：第一GaN缓冲层(121)、第一GaN稳定层(122)、第一n型GaN层(123)、第一有源层(124)、第一p型AlGaN阻挡层(125)及第一p型GaN接触层(126)；其中，所述第一GaN缓冲层(121)、所述第一GaN稳定层(122)、所述第一n型GaN层(123)、所述第一有源层(124)、所述第一p型AlGaN阻挡层(125)及所述第一p型GaN接触层(126)依次层叠于所述衬底(11)上表面第一指定区域；

所述第二GaN蓝光外延层(13)包括：第二GaN缓冲层(131)、第二GaN稳定层(132)、第二n型GaN层(133)、第二有源层(134)、第二p型AlGaN阻挡层(135)及第二p型GaN接触层(136)；其中，所述第二GaN缓冲层(131)、所述第二GaN稳定层(132)、所述第二n型GaN层(133)、所述第二有源层(134)、所述第二p型AlGaN阻挡层(135)及所述第二p型GaN接触层(136)依次层叠于所述衬底(11)上表面第二指定区域；

所述横向LED蓝光芯片的制备方法包括：

在蓝宝石衬底上表面生长第一GaN缓冲层；

在所述第一GaN缓冲层上表面生长第一GaN稳定层；

在所述第一GaN稳定层上表面生长第一n型GaN层；

在所述第一n型GaN层上表面生长InGaN量子阱/GaN势垒多重结构作为第一有源层；

在所述第一有源层上表面生长第一p型AlGaN阻挡层；

在所述第一p型AlGaN阻挡层上表面生长第一p型GaN接触层；

在所述第一p型GaN接触层上表面淀积第一SiO₂层；

利用湿法刻蚀工艺，择性刻蚀所述第一SiO₂层，在所述第一SiO₂层上形成第一待刻蚀区域；

利用干法刻蚀工艺，在所述第一待刻蚀区域刻蚀所述第一p型GaN接触层、所述第一p型AlGaN阻挡层、所述第一有源层、所述第一n型GaN层、所述第一GaN稳定层及所述第一GaN缓冲层，形成第一凹槽；

去除所述第一SiO₂层，并在所述第一凹槽内淀积第二SiO₂层；

选择性刻蚀所述第二SiO₂层，以在所述第一凹槽四周形成SiO₂隔离层，所述SiO₂隔离层内部区域作为第二蓝光灯芯槽；

在所述第二蓝光灯芯槽底部生长第二GaN缓冲层；

在所述第二GaN缓冲层上表面生长第二GaN稳定层；

在所述第二GaN稳定层上表面生长第二n型GaN层；

在所述第二n型GaN层上表面生长InGaN量子阱/GaN势垒多重结构作为第二有源层；

在所述第二有源层上表面生长第二p型AlGaN阻挡层；

在所述第二p型AlGaN阻挡层上表面生长第二p型GaN接触层；

其中，在利用干法刻蚀工艺形成所述第一凹槽的过程中，所述第一GaN缓冲层未完全刻蚀掉，以使所述第一蓝光光源与所述第二蓝光光源的阴极共连。