[发明专利]一种氮化镓器件及氮化镓封装结构

权利要求书

1.一种氮化镓器件，包括：设有导通孔的PCB双面基板、硅芯片和氮化镓芯片，其特征在于，

所述硅芯片正装在所述PCB双面基板的顶面上，所述氮化镓芯片倒装在所述PCB双面基板的顶面上，并借助于Cascode级联方式在所述PCB双面基板的顶面形成氮化镓器件的至少一个焊盘电极；

其中，所述焊盘电极中的任一个，借助导通孔延伸至所述PCB双面基板的底面，

在所述PCB双面基板的顶面上，所述导通孔的投影区域被所述焊盘电极的投影区域完全覆盖或与之交叠。

2.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，

所述导通孔的导电金属与设置在所述底面上的焊盘电极电连接，所述底面上的焊盘电极覆盖所述底面的整体或部分区域。

3.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述导通孔的导电金属通过所述底面内的走线，与底面上的焊盘电极电气连接。

4.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，

同一焊盘电极的投影区域内包括一个或一个以上的所述导通孔。

5.根据权利要求1-3任一项所述的氮化镓器件，其特征在于，

延伸至所述底面的所述焊盘电极包括氮化镓器件的焊盘漏极、焊盘源极或焊盘栅极。

6.根据权利要求5所述的氮化镓器件，其特征在于，所述硅芯片的漏极和所述氮化镓芯片的源极分别与所述PCB双面基板顶面内一第一走线上的焊盘焊接；

及/或，

所述氮化镓芯片的栅极与所述PCB双面基板顶面内一第二走线的一端焊盘焊接，所述第二走线的另一端焊盘焊接一所述焊盘源极，从所述硅芯片的源极引出一第一引线并使所述第一引线的末端焊接于所述第二走线的另一端焊盘；

及/或，

所述氮化镓芯片的漏极与PCB双面基板顶面内一第三走线的一端焊盘焊接，所述第三走线的另一端焊盘焊接一所述焊盘漏极；

及/或

所述硅芯片的栅极引出一第二引线并以所述第二引线的末端作为所述氮化镓器件的栅极。

7.根据权利要求5所述的氮化镓器件，其特征在于，

所述PCB双面基板顶面的焊盘漏极通过第一导通孔与所述底面的第四走线的一端电连接，所述第四走线的另一端焊盘用于焊接或作为一漏极封装引脚；

及/或，

所述PCB双面基板顶面的焊盘源极通过第二导通孔与所述底面的第五走线的一端电连接，所述第五走线的另一端焊盘用于焊接或作为一源极封装引脚；

及/或，

所述PCB双面基板顶面的焊盘栅极通过第三导通孔与所述底面的第六走线的一端电连接，所述第六走线的另一端焊盘用于焊接或作为一栅极封装引脚。

8.根据权利要求6或7所述的氮化镓器件，其特征在于，所述第一走线、所述第二走线和所述第三走线为所述PCB双面基板顶面内的覆铜走线，所述覆铜走线的横截面积根据该覆铜走线内的设计电流进行选择；

或者，所述第四走线、第五走线和所述第六走线为所述PCB双面基板底面内的覆铜走线，所述覆铜走线的横截面积根据该覆铜走线内的设计电流进行选择。

9.一种带有封装框架的氮化镓封装结构，其特征在于，所述氮化镓封装结构包括：位于所述封装框架内的如权利要求1-8任一项所述的氮化镓器件；

所述氮化镓器件的一个焊盘电极位于所述PCB双面基板的底面，且位于所述PCB双面基板底面的焊盘电极与相应的封装引脚焊接。

10.根据权利要求9所述的氮化镓封装结构，其特征在于，

所述封装引脚形成在所述封装框架上，或者，所述封装引脚穿过所述封装框架向外延伸。