[发明专利]改变抗体对抗原的亲和性的方法及该亲和性被改变的抗体

说明书

本发明涉及控制抗体对于抗原的亲和性的方法、对于抗原的亲和性发生改变的抗体及其制造方法。本发明旨在提供控制抗体对于抗原的亲和性的技术及对于抗原的亲和性发生改变的抗体。本发明根据基于互补性决定区域(CDR)的氨基酸序列的CDR的电特性，通过将抗体中的根据Chothia法定义的框架区域3的至少3个氨基酸残基用荷电氨基酸残基取代而解决了上述的课题。

【技术领域】

本发明涉及控制抗体对于抗原的亲和性的方法。另外，本发明涉及对于抗原的亲和性发生改变的抗体及其制造方法。

【背景技术】

以往已知通过向抗体的氨基酸序列导入变异，使该抗体对于抗原的亲和性改变的技术。例如，在专利文献1中记载了向抗体的互补性决定区域(CDR)的氨基酸序列导入变异而降低该抗体对于抗原的亲和性的方法。

也已知不向CDR导入、而向处于可变区域的框架区域的氨基酸序列导入变异而改变对于抗原的亲和性。例如，在非专利文献1及专利文献2中记载了将位于与肌钙蛋白I结合的单链抗体(scFv)的框架区域3的第60、第63、第65及第67位的氨基酸残基用作为碱性氨基酸的赖氨酸或精氨酸残基取代。肌钙蛋白I是荷电氨基酸的含量多的抗原。在非专利文献1及专利文献2中，首先，制作识别pI是3.57的酸性表位的单链抗体及识别pI是11.45的碱性表位的单链抗体。在非专利文献1及专利文献2中记载了，利用由向这些单链抗体导入碱性氨基酸残基而发生的电引力可提高对肌钙蛋白I的亲和性。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】美国专利申请公开第2012/0329995号说明书

【专利文献2】国际公开第2013/084371号单行本

【非专利文献】

【非专利文献1】Fukunaga A及Tsumoto K,Improving the affinity of anantibody for its antigen via long-range electrostatic interactions,ProteinEng.Des.Sel.vol.26,no.12,p.773-780,2013

【发明内容】

【发明要解决的技术课题】

在非专利文献1及专利文献2中，从增加抗体抗原反应中的结合速度常数的观点来看，向抗肌钙蛋白I抗体的框架区域3(FR3)导入如上述一样的变异而使对肌钙蛋白I的亲和性提高。但是，在这些文献中未记载，抗肌钙蛋白I抗体以外的抗体也可由相同的方法改变对抗原的亲和性。

另外，非专利文献1及专利文献2仅记载了提高对抗原的亲和性。一方面，当以抗体作为试剂利用时，不仅是对抗原的亲和性提高的抗体，有时也需要亲和性降低的抗体。例如，可将对于抗原的亲和性降低的抗体作为抗原抗体反应的适合的对照使用。从而，期望建立控制抗体对于抗原的亲和性的技术。

【解决课题的技术方案】

本发明人发现，如果将抗体的FR3的氨基酸残基用荷电氨基酸残基取代，则可根据抗体的种类，提高或降低对于抗原的亲和性。进而，发现这样的亲和性的变化的差与基于CDR中所含的荷电氨基酸残基的数确定的CDR的电特性关联，由此完成本发明。

从而，本发明提供控制抗体对于抗原的亲和性的方法。在此方法中，在基于CDR的氨基酸序列的CDR的电特性是中性或负电荷的抗体中，将根据Chothia法定义的FR3的至少3个氨基酸残基用荷电氨基酸残基取代。

另外，本发明提供对于抗原的亲和性发生改变的抗体的制造方法。此方法包括：在基于CDR的氨基酸序列的CDR的电特性是中性或负电荷的抗体中，将根据Chothia法定义的FR3的至少3个氨基酸残基用荷电氨基酸残基取代的工序，及回收在取代工序中得到的抗体的工序。