[发明专利]具有连续凹腔的加热器块

说明书

本发明公开一种适于安装在包含喷淋头和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中的加热器块，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底，并且包含：至少一个通孔，所述至少一个通孔通过所述加热器块；在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定，并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部；和在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，所述凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。

发明领域

本说明书总体涉及一种用于在半导体制造工艺中使用的设备，特别是用在等离子体沉积或蚀刻设备中的加热器块或工件支撑件。

背景技术

作为半导体制造工艺的一部分，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺通常被用于在位于室中的加热器块或工件支撑件上的工件(例如，半导体衬底)的图案化表面上沉积膜。这些工艺通常通过将前驱气体或气体混合物引入到含纳加热器块或工件支撑件上的工件的室中来完成。前驱气体或气体混合物通常经由位于室的顶部周围的喷淋板向下引导。

发明内容

在这样的工艺中，使用所述加热器块或工件支撑件来支撑衬底，并且可以对其表面进行处理以添加图案(例如，连续的凹状部和凸状部)，以使得凸状部支撑所述衬底并且凹状部不接触所述衬底以使得所述图案起到避免异物附着到所述衬底的背面或防止所述衬底粘附到所述加热器块或工件支撑件的作用。

传统上，衬底在加热器块或工件支撑件上的位置的确定通常由人类手动完成。然而，近年来，对衬底的位置的自动识别的技术已经改进，并且检测所述衬底的中心的位置对于实现用于衬底转移目的的衬底位置的自动识别已经变得重要。

图1示出了示出其上表面的加热器块11的概览。在图1中，多个圆柱形形状的凹状部2设置在加热器块11的衬底支撑区17的上表面上。图2示出了加热器块11的上表面的一部分的横截面A-A'的放大图。相邻的凹状部2的中心之间的距离大致恒定。图1中所示的加热器块11在衬底支撑表面6上具有多个凹坑状的凹状部2，并且衬底支撑表面6是连续的平面。用于衬底支撑销4的通孔与凹状部2的图案无关地布置。

当图1的这种加热器块与衬底的位置的自动识别的技术一起使用时，发现由于加热器块11的上表面具有凹状部2的类似图案，自动识别传感器难以准确地测量或检测放置在加热器块11的上表面上的目标衬底的中心点的位置。

本发明的实施例的目的是提供一种适于安装在包括喷淋头、加热器块和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中的加热器块，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底，并且包括：至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块；和在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部；和在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部，所述凹状部或凹陷部具有与所述多个主凹状部或凹陷部不同的形状或尺寸。

在一方面中，加热器块适于安装在包括喷淋头、加热器块和反应室的等离子体沉积或等离子体蚀刻设备中，所述加热器块适于布置在所述反应室中以支撑衬底并且包括：至少一个通孔，所述至少一个通孔穿过所述加热器块；和在其上表面上的多个表面，所述多个表面彼此分离并且由连续凹腔限定；并且所述连续凹腔包括：多个主凹状部或凹陷部；多个凹状通道，所述多个凹状通道实质上连接每两个相邻的主凹状部或凹陷部，其中在所述加热器块的中心处的凹状部或凹陷部由多个凸状部的内侧壁限定，并且所述多个凸状部的外侧壁的轮廓具有圆形或多边形形状。