[发明专利]一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置

权利要求书

1.一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置包括：部件(1)衬底、部件(2)MOS集成电路、部件(3)VCSEL阵列(全称：VCSEL，Vertical-Cavity-Surface-Emitting-Laser，中文名垂直腔面发射激光二极管)、部件(4)外部控制系统；通过部件(4)外部控制系统可独立寻址控制部件(2)MOS集成电路上的部件(22)电极阵列的每一个电极供电状态，进而通过控制部件(22)电极阵列中的每一个电极的供电独立控制每一个部件(31)VCSEL发光与熄灭，通过可控的每个部件(31)VCSEL发光与熄灭最终组成所需的特定激光图案。

2.根据权利要求1所述的部件(1)衬底，其特征在于，部件(1)衬底材料采用硅基或玻璃基。

3.根据权利要求1所述的部件(2)MOS集成电路，其特征在于，其特征在于：部件(2)MOS集成电路(MOS全称Metal Oxide Semi-conductor中文金属-氧化物半导体)，部件(2)MOS集成电路包括PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道金属氧化物半导体)、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N沟道金属氧化物半导体)和CMOS(Complement Metal Oxide Semiconductor，复合互补金属氧化物半导体)等类型。

4.根据权利要求1所述的部件(2)MOS集成电路，其特征在于，部件(2)MOS集成电路表面含有C个部件(21)引脚(C≥1)与部件(4)外部控制系统连接，含有部件(22)电极阵列与部件(3)VCSEL阵列相连并为部件(3)VCSEL阵列供电。部件(21)引脚可以在部件(2)MOS集成电路的任意位置。

5.根据权利要求1所述的部件(2)MOS集成电路，其特征在于，部件(2)MOS集成电路含有多层电路结构，部件(2)MOS集成电路表面含有部件(22)电极阵列，部件(22)电极阵列中的每个电极都可独立寻址并独立控制电流开关，每个电极均有其对应的独立驱动电路，驱动电流由薄膜晶体管提供。

6.根据权利要求4所述的部件(22)电极阵列，其特征在于，部件(22)电极阵列共有m行(m为大于1的整数)n列(n为大于1的整数)，共计m*n个电极并呈矩形排布，也就是说m行排列轴线M与n列排列轴线N呈90度夹角。

7.根据权利要求1所述的部件(3)VCSEL阵列，其特征在于，部件(3)VCSEL阵列共有A行(A为大于1的整数)B列(A为大于1的整数)个部件(31)VCSEL，共计A*B个部件(31)VCSEL呈矩形排布，也就是说A行排列轴线与B列排列轴线呈90度夹角。

8.根据权利要求7所述的部件(31)VCSEL，其特征在于，部件(31)VCSEL的激光发射方向垂直于部件(1)衬底平面；激光波长范围大于等于350纳米小于等于890纳米；部件(31)VCSEL边长大于等于500纳米，小于等于500微米。

9.根据权利要求5所述部件(22)电极阵列，其特征在于，部件(22)电极阵列共有m行的数量m≥部件(3)VCSEL阵列的A行的数量A(m≥A)，部件(22)电极阵列共有n列的数量n≥部件(3)VCSEL阵列的B列的数量B(n≥B)。也就是说，每个部件(31)VCSEL可与1个或多个部件22电极阵列中的电极连接。

10.根据权利要求1所述的部件(4)外部控制系统，其特征在于，部件(4)外部控制系统是可将图形数字信号转化为所需的电信号的控制系统；部件(4)外部控制系统通过多根部件(41)引线连接部件(22)电极阵列上的每一个电极，并能独立控制部件(22)电极阵列上的每一个电极供电状态的控制系统。