[实用新型]螯合剂反应釜

说明书

技术领域

本实用新型具体涉及一种螯合剂反应釜。

背景技术

螯合物是具有环状结构的配合物，是通过两个或多个配位体与同一金属离子形成螯合环的螯合作用而得到；在生产过程中，为提高螯合反应的效率，通常在螯合剂反应釜内加搅拌装置，通过电机带动搅拌装置旋转，进而完成搅拌作用。

然而，电机转速过快会降低装置的结构强度，过慢又会降低螯合反应效率；因此，研究当电机的转速为何值，螯合反应更有效充分成为关注的重点；且其电机转子在转动时，转子转动时产生的高温、风摩擦以及涡流作用大大加快了电机转子的损耗速度和降低了电机的传动功率以及传输速度，影响了电机的使用性能。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种螯合效率高、能耗小的螯合剂反应釜。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种螯合剂反应釜，其包括釜体、位于釜体顶端转速为190~220r/min的电机和与电机连接、位于釜体内的转动轴；釜体的下端设置有与转动轴相配合的定位凸台，定位凸台与转动轴的接触处设有一耐磨层；转动轴上设有若干个搅拌棒，搅拌棒平均分布在转动轴的两侧，且相邻两搅拌棒之间的间隔距离相等；电机包括机壳、位于机壳内的转子、与转子活动连接的定子、与转子和定子连接的控制电路板和设置在转子上的护套；转子上下两侧对称的设有圆弧槽，护套内侧设有圆弧凸块，圆弧凸块位于相邻两个圆弧槽之间，控制电路板上设有一过温保护电路。

进一步地，过温保护电路包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第一反相器N1、第二反相器N2、NPN型晶体管T、直流继电器K、蜂鸣器B、电阻R和电容C。

其中，第一NMOS管M1的栅极、第二NMOS管M2的栅极和第三NMOS管M3的栅极相互连接；第一NMOS管M1的漏极、第二NMOS管M2的源极、第三NMOS管M3的漏极均与正电源端连接；第一NMOS管M1的源极、第四NMOS管M4的漏极、第五NMOS管M5的栅极均与NPN 型晶体管T的集电极连接；

第二NMOS管M2的漏极与第四NMOS管M4的源极连接；第三 NMOS管M3的源极、第五NMOS管M5的漏极均与第一反相器N1的输入端连接；第四NMOS管M4的栅极、第一反相器N1的输出端均与第二反相器N2的输入端连接；第五NMOS管M5的源极、NPN型晶体管T的发射极均与负电源端连接；

第二反相器N2的输出端通过直流继电器K的线圈与正电源端连接；蜂鸣器B的一端通过直流继电器K的常闭触点与正电源端连接，另一端通过电阻R与NPN型晶体管T的基极连接；电容C的两端分别与第一反相器N1的输入端和负电源端连接。

进一步地，机壳的两侧设置有散热片。

进一步地，散热片呈放射状的设置在机壳上，散热片的表面为波浪形。

进一步地，护套的材质为碳纤维。

本实用新型的有益效果为：该螯合剂反应釜的电机的转速为190~220r/min，能够使得釜内的螯合反应更加地充分有效；转动轴与定位凸台相配合，加强转动轴的固定强度，防止转动轴因受到冲击产生晃动而损坏；转子上下都设有圆弧槽，节约了空间，既有效地增加了空气气隙，减小了动力传输时的损耗，又大大提高了传动功率以及能量的传输效率；其过温保护电路无需通过调整电阻的阻值来控制热关断阈值的高低，彻底避免了电阻的阻值对热关断阈值的影响，既显著增强了抗干扰性，又大幅降低了功耗，具有易推广，实用性强等优点。

附图说明

图1为螯合剂反应釜的结构示意图。

图2为螯合剂反应釜的电机的结构示意图。

图3为螯合剂反应釜的过温保护电路的电路图。

其中：1、釜体；2、电机；3、转动轴；4、定位凸台；5、耐磨层；6、搅拌棒；7、机壳；8、转子；9、定子；10、护套；11、圆弧槽；12、圆弧凸块。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一种实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。