[实用新型]一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器有效

专利信息
申请号: 201720003605.5 申请日: 2017-01-04
公开(公告)号: CN206370429U 公开(公告)日: 2017-08-01
发明(设计)人: 刘晓燕;陈志涛;刘宁炀;任远;刘久澄;何晨光;张康;赵维 申请(专利权)人: 广东省半导体产业技术研究院
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/105
代理公司: 广东世纪专利事务所44216 代理人: 刘卉
地址: 510651 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 可见 光通信 ingan 量子 光电 探测器
【权利要求书】:

1.一种用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器,包括具有p-i-n结构的InGaN量子点光电探测器本体,其特征在于:所述InGaN量子点光电探测器本体包括由下往上依次设置的衬底(1)、n型GaN层(2)、InGaN/GaN量子点结构层(3)和p型GaN层(4),其中所述p型GaN层(4)的表面(41)上设置有p型GaN欧姆接触结构(6),所述InGaN量子点光电探测器本体的一侧设置有缺口(5),通过所述缺口(5)使n型GaN层(2)露出表面(21),且在该表面(21)上设置有n型GaN欧姆接触结构(7),所述InGaN/GaN量子点结构层(3)为(InGaN)n/(GaN)(n+1)的周期性结构,周期数n为1-20,每层InGaN量子点的厚度为1-5nm。

2.根据权利要求1所述的用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器,其特征在于:所述衬底(1)为蓝宝石衬底、SiC衬底、GaN衬底、AlN衬底或MoW衬底。

3.根据权利要求1所述的用于可见光通信的InGaN量子点光电探测器,其特征在于:所述n型GaN层(2)、InGaN/GaN量子点结构层(3)和p型GaN层(4)采用金属有机物化学气相衬底外延法(MOCVD)、分子束外延法(MBE)或氢化物气相外延法(HVPE)进行设置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省半导体产业技术研究院,未经广东省半导体产业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720003605.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top