[实用新型]一种散裂中子源快中子滤除装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种滤除装置，尤其涉及一种散裂中子源快中子滤除装置。

背景技术

散裂中子源是通过加速器驱动高能质子轰击重金属靶体，从而得到高中子通量的中子束流。先进的中子源是中子科学研究的基础，能够为物质微观结构和运动状态的研究提供必要的工具。质子加速轰击钨靶产生出脉冲中子束流，同时也产生了快中子束。快中子束在每个中子束流脉冲周期的零时刻发出，随中子束流传输，如果全部到达样品，会对测试结果造成很大的背底，在不同研究和实验需要的中子束流波段不尽相同，因此，在快中子束流传输过程中，需要设计一种装置对快中子进行滤除，而又能放行需要的脉冲中子流束，目前尚无真正意义上能够用于散裂中子源的中子束流滤除装置。

实用新型内容

本实用新型正是针对现有技术存在的不足，提供了一种散裂中子源快中子滤除装置。

为解决上述问题，本实用新型所采取的技术方案如下：

一种散裂中子源快中子滤除装置，包括壳体、离子源、转盘和电机，所述壳体为矩形密闭壳体，离子源安装在壳体内一侧上部，离子源对应侧壳体壁上设有中子束窗，转盘竖直位于壳体内中部，转盘的轴心位于离子源水平轴线下部，且离子源对应转盘盘面位置，电机水平安装在壳体内部另一侧，电机与转盘中心轴连接，转盘盘面的上下两侧对称布置有扇形槽口，扇形槽口的竖直位置对应离子源水平位置，转盘盘面上涂有阻挡吸附层。

进一步的，所述壳体的上部设有抽真空管。

进一步的，所述壳体的内腔壁上设有碳化硼吸附层。

进一步的，所述壳体两侧壁底部对称布置有对射式光电传感器，光电传感器的水平轴线位于转盘竖直方向盘面的扇形槽口位置。

本实用新型与现有技术相比较，本实用新型的实施效果如下：

本实用新型所述的一种散裂中子源快中子滤除装置，电机驱动转盘转动，通过电机的角速度调节，精确控制转盘的转动，从而保证当快中子束通过时，快中子束刚好对着转盘，被转盘阻挡或吸收，而其他的中子束流能通过转盘的扇形槽口，满足实验或者研究的需求，实现快中子的滤除。

附图说明

图1为本实用新型所述的一种散裂中子源快中子滤除装置的结构示意图；

图2为图1中的转盘结构示意图。

具体实施方式

下面将结合具体的实施例来说明本实用新型的内容。

如图1和图2所示，所述的一种散裂中子源快中子滤除装置，包括壳体1、离子源2、转盘3和电机4，所述壳体1为矩形密闭壳体1，离子源2安装在壳体1内一侧上部，离子源2对应侧壳体1壁上设有中子束窗5，转盘3竖直位于壳体1内中部，转盘3的轴心位于离子源2水平轴线下部，且离子源2对应转盘3盘面位置，电机4水平安装在壳体1内部另一侧，电机4与转盘3中心轴连接，转盘3盘面的上下两侧对称布置有扇形槽口6，扇形槽口6的竖直位置对应离子源2水平位置，转盘3盘面上涂有阻挡吸附层7。

所述的一种散裂中子源快中子滤除装置，电机4驱动转盘3转动，通过电机4的角速度调节，精确控制转盘3的转动，从而保证当快中子束通过时，快中子束刚好对着转盘3，被转盘3阻挡或吸收，而其他的中子束流能通过转盘3的扇形槽口6，满足实验或者研究的需求，实现快中子的滤除。

所述壳体1的上部设有抽真空管8，可将壳体1内部抽成真空环境，减少中子束通过时在空气中的散射。

所述壳体1的内腔壁上设有碳化硼吸附层9，阻挡并吸收散射的中子束流，同时隔离外部中子，避免干扰。

所述壳体1两侧壁底部对称布置有对射式光电传感器10，光电传感器10的水平轴线位于转盘3竖直方向盘面的扇形槽口6位置，通过对射式光电传感器10检测转盘3的转动情况，精确控制转盘3的转速以及离子源2的脉冲频率，保证对快中子的滤除效果。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。