[实用新型]一种基于C8051单片机的保护层厚度的无损检测仪有效
| 申请号： | 201720007212.1 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN206420432U | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李合欣;杜红亮;丛林;郭凤诚 | 申请（专利权）人： | 山东省产品质量检验研究院 |
| 主分类号： | G01B7/06 | 分类号： | G01B7/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 c8051 单片机 保护层 厚度 无损 检测 | ||
1.一种基于C8051单片机的保护层厚度的无损检测仪，其特征在于：包括信号发生模块、探头线圈、信号调理模块、单片机模块、显示模块、A/D转换模块、信号触发采集模块；所述信号发生模块、探头线圈、信号调理模块和单片机模块依次连接，所述信号触发采集模块通过A/D转换模块与单片机模块连接，所述显示模块与单片机模块连接。
2.根据权利要求1所述的基于C8051单片机的保护层厚度的无损检测仪，其特征在于：所述信号发生模块包括相互连接的激励触发模块和电源模块。
3.根据权利要求1所述的基于C8051单片机的保护层厚度的无损检测仪，其特征在于：所述信号触发采集模块包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、三极管Q1、二极管VD和MOS管，所述电阻R4一端与单片机模块连接，另一端与MOS管源极连接，所述MOS管源的栅极接地，MOS管的漏极通过电阻R2与三极管Q1的基极连接，三级管Q1的发射极通过电阻R3与+10V电源连接，三级管Q1的集电极与二极管VD的阴极连接，二极管VD的阳极通过电阻R1接地，所述探头线圈的一端与三极管Q1的集电极连接，另一端接地。
4.根据权利要求1所述的基于C8051单片机的保护层厚度的无损检测仪，其特征在于：所述单片机模块的型号为C8051F350。
5.根据权利要求2所述的基于C8051单片机的保护层厚度的无损检测仪，其特征在于：所述激励触发模块为方波脉冲发生器电路，该方波脉冲发生器电路包括相互连接的自激多谐振荡器和单稳态触发器。
6.根据权利要求1所述的基于C8051单片机的保护层厚度的无损检测仪，其特征在于：所述信号调理电路包括依次连接的电压跟随电路、面积积分电路、减法运算电路和滤波电路。
7.根据权利要求1所述的基于C8051单片机的保护层厚度的无损检测仪，其特征在于：所述显示模块为SYB240128AZK液晶模块。
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