[实用新型]具有软恢复特性的快恢复二极管结构有效
| 申请号： | 201720012857.4 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN206388710U | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;许生根;王海军;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,涂三民 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 恢复 特性 二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有软恢复特性的快恢复二极管结构，其特征是：它包括P+型阳极区域（1）、N-型轻掺杂区域（2）、N+型阴极区域（3）与高电离率区域（4），N-型轻掺杂区域（2）的正面为P+型阳极区域（1），N-型轻掺杂区域（2）的背面为N+型阴极区域（3）；在N-型轻掺杂区域（2）内设有呈阵列排列的高电离率区域（4），且高电离率区域（4）为矩形，高电离率区域（4）的边沿与N-型轻掺杂区域（2）的边沿呈平行设置。
2.如权利要求1所述的具有软恢复特性的快恢复二极管结构，其特征是：所述高电离率区域（4）阵列中的各列之间的间距呈相等设置；从N+型阴极区域（3）到P+型阳极区域（1）的方向上，高电离率区域（4）阵列中的各行之间的间距呈逐渐降低设置。
3.如权利要求1或2所述的具有软恢复特性的快恢复二极管结构，其特征是：所述高电离率区域（4）阵列设置在靠近N+型阴极区域（3）的一侧，远离P+型阳极区域（1）的一侧。
4.如权利要求3所述的具有软恢复特性的快恢复二极管结构，其特征是：所述每个高电离率区域（4）的面积均相等，且每个高电离率区域（4）所在矩形的长边呈横向设置。
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