[实用新型]三层氮化硅薄膜电池片

权利要求书

1.三层氮化硅薄膜电池片，包括硅片，其特征在于，所述硅片的正面涂覆有三层减反射膜，三层减反射膜均为氮化硅膜，三层减反射膜包括由下至上分布的第一层膜、第二层膜和第三层膜，第一层膜覆盖于硅片的正面，第一层膜的厚度为8-12nm，第二层膜覆盖于第一层膜的上表面，第二层膜的厚度为13-17nm，第三层膜覆盖于第二层膜的上表面，第三层膜的厚度为53-57nm，第一层膜、第二层膜和第三层膜三者的总厚度为80nm；所述三层减反射膜的上表面印有主栅线和次栅线，主栅线的两端开设有镂空凹槽，镂空凹槽槽宽为主栅线线宽的2/3，镂空凹槽槽深为主栅线长度的1/12，硅片的背面印有背电极。

2.根据权利要求1所述的三层氮化硅薄膜电池片，其特征在于，所述镂空凹槽内设置有呈X型的辅助线，辅助线上设置有若干个镂空孔。

3.根据权利要求1所述的三层氮化硅薄膜电池片，其特征在于，所述主栅线的数量至少有3条。

4.根据权利要求1所述的三层氮化硅薄膜电池片，其特征在于，所述硅片为多晶硅硅片。

5.根据权利要求4所述的三层氮化硅薄膜电池片，其特征在于，所述硅片的厚度为180-200μm。

6.根据权利要求5所述的三层氮化硅薄膜电池片，其特征在于，所述硅片的四角为倒角，倒角的角度为40-50°。

7.根据权利要求6所述的三层氮化硅薄膜电池片，其特征在于，所述倒角的角度为45°。