[实用新型]新型可控硅触发装置有效

专利信息
申请号: 201720013792.5 申请日: 2017-01-06
公开(公告)号: CN206302397U 公开(公告)日: 2017-07-04
发明(设计)人: 贲艳涛 申请(专利权)人: 贲艳涛
主分类号: H03K17/78 分类号: H03K17/78
代理公司: 哈尔滨东方专利事务所23118 代理人: 陈晓光
地址: 150000 黑龙江省哈*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 新型 可控硅 触发 装置
【说明书】:

技术领域:

本实用新型涉及一种电控领域,尤其涉及一种新型可控硅触发装置。

背景技术:

目前常用的可控硅触发电路的输入端由于用固定降压和限流,当控制器电源电压发生变化是其触发电流也发生变化,若电压变低,有可能可控硅触发失败,若电压变高,则限流发热,控制器由于触发电路耗电增大导致电源电流增大,变压器发热,严重时导致控制器烧坏。

发明内容:

本实用新型的目的是提供一种新型可控硅触发装置。

上述的目的通过以下的技术方案实现:

一种新型可控硅触发装置,其组成包括:可控硅触发信号端,所述的可控硅触发信号端分别连接电阻R1和三极管Q1,所述的电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1,所述的三极管Q1连接电阻R2,所述的二极管D1连接二极管D2,所述的二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1和过零触发光耦U2,所述的电容C1接地,所述的过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1,所述的过零触发光耦U1连接+12V电源,所述的过零触发光耦U2和所述的过零触发光耦U1连接可控硅触发电路。

所述的新型可控硅触发装置,可控硅触发信号端经过电阻R1降压后,供给三极管Q1的b级使其导通,并通过二极管D1和二极管D2形成基本稳定的1.4V电压值,控制信号的主电流经三极管Q1的ce级和电阻R2输入到过零触发光耦U2中,当电流经过电阻R2产生的电压降超过0.7V时,三极管Q1的Vbe达不到保持导通的0.7V,于是三极管Q1关断;电阻R2选择合适阻值,使得流经过零触发光耦U1和过零触发光耦U2的电流能够保证其正常工作即可。

本实用新型的有益效果:

1.本实用新型的可控硅触发装置,为了解决电源电压变化引起的这种故障原因,在可控硅触发电路上增设了恒流电路,保证在外部电源电压变化幅度大的情况下触发电流基本稳定。

本实用新型的可控硅触发装置,采用独有的恒流技术,保证了触发装置的电流稳定,有效的避免了因电流变化引起故障。

本实用新型的可控硅触发装置,采用全新的过零检测技术,保证了触发装置过零点更准确,抗干扰能力更强。

附图说明:

附图1是本实用新型的结构示意图。

图中:1 —可控硅触发电路;2 —过零触发光耦U1;3 —过零触发光耦U2;4 —电容C1;5 —二极管D2;6 —二极管D1;7 —电阻R2;8 —三极管Q1;9 —电阻R1;10 —可控硅触发信号端。

具体实施方式:

实施例1:

一种新型可控硅触发装置,其组成包括:可控硅触发信号端,所述的可控硅触发信号端10分别连接电阻R1(序号为:9)和三极管Q1 (序号为:8),所述的电阻R1分别连接三极管Q1和二极管D1 (序号为:6),所述的三极管Q1连接电阻R2(序号为:7),所述的二极管D1连接二极管D2 (序号为:5),所述的二极管D2连接分别连接电阻R2、电容C1 (序号为:4)和过零触发光耦U2 (序号为:3),所述的电容C1接地,所述的过零触发光耦U2通过导线连接过零触发光耦U1 (序号为:2),所述的过零触发光耦U1连接+12V电源,所述的过零触发光耦U2和所述的过零触发光耦U1连接可控硅触发电路(序号为:1)。

实施例2:

根据实施例1所述的新型可控硅触发装置,可控硅触发信号端经过电阻R1降压后,供给三极管Q1的b级使其导通,并通过二极管D1和二极管D2形成基本稳定的1.4V电压值,控制信号的主电流经三极管Q1的ce级和电阻R2输入到过零触发光耦U2中,当电流经过电阻R2产生的电压降超过0.7V时,三极管Q1的Vbe达不到保持导通的0.7V,于是三极管Q1关断;电阻R2选择合适阻值,使得流经过零触发光耦U1和过零触发光耦U2的电流能够保证其正常工作即可。

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