[实用新型]一种显示基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

在扭曲向列型(Twisted Nematic，简称TN)、高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch，简称ADSDS)等显示模式中，在显示基板的制作过程中通常采用窄沟道掩模(Single Slit Mask，简称SSM)技术，使有源层和数据线层通过一次掩模构图工艺形成。如图1所示，现有一种显示基板的TFT包括栅极10、有源层(图中未示出)、源极20和漏极30以及数据线40，其中，源极20与数据线40搭接。现有技术存在的缺陷在于，由于SSM技术是利用单缝衍射原理，在对基板进行曝光时较易受到基板上金属线密度的影响，因此会导致数据线与源极搭接位置的膜层较厚，在后续的灰化工艺中容易导致光刻胶残留，从而造成沟道短路(如图1中A处所示)，影响显示装置的品质。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种显示基板及显示装置，以提高显示装置的产品品质。

本实用新型实施例提供了一种显示基板，包括栅极、位于栅极之上的有源层，以及位于有源层之上的源极、漏极和数据线，其中，所述源极具有凹形口，所述漏极与所述源极相对设置且具有伸入所述凹形口的条状部，所述凹形口与条状部的间隙形成U形沟道，所述数据线搭接于源极远离凹形口的一端。

在本实用新型技术方案中，当有源层和数据线层通过一次掩模构图工艺形成时，通常U形沟道的底部透光最强，而数据线与源极搭接位置的沟道受邻近金属线密度的影响透光最弱，将数据线搭接于源极远离凹形口的一端，可以使U形沟道底部的透光强度因金属线密度的影响而减弱，达到中和的效果，从而得到较为均一的膜层厚度，进而可以避免沟道短路的现象发生，相比现有技术，该方案提高了显示装置的产品品质。

优选的，所述源极、漏极和数据线采用SSM掩模板制作。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括前述技术方案的显示基板。相比现有技术，该显示装置的产品品质得以提高。

附图说明

图1为现有技术中数据线与源极搭接位置结构示意图；

图2为现有技术和本实用新型实施例中的数据线与源极搭接位置对比示意图以及不同U形沟道深度的对比示意图；

图3为本实用新型实施例对U形沟道深度的定义参考示意图；

图4为图2中方案一在不同U形沟道深度下②处的最大透光强度与①处的最大透光强度的比值以及③处的最大透光强度和①处的最大透光强度的比值柱状示意图；

图5为图2中各个方案在U形沟道深度为10um时②处的最大透光强度与①处的最大透光强度的比值以及③处的最大透光强度和①处的最大透光强度的比值柱状示意图；

图6为TN型显示基板的制作流程图；

图7为图6中步骤103的具体步骤流程图；

图8a～8f为图6中步骤103的SSM掩模工艺示意图。

附图标记：

10-栅极 20-源极 30-漏极 40-数据线

21-凹形口 31-条状部 50-有源层 60-栅极绝缘层

70-光刻胶 80-SSM掩模板

具体实施方式

为了提高显示装置的产品品质，本实用新型实施例提供了一种显示基板及显示装置。为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本实用新型作进一步详细说明。

如图3所示，本实用新型实施例提供的显示基板，包括栅极10、位于栅极10之上的有源层(图中未示出)，以及位于有源层之上的源极20、漏极30和数据线40，其中，源极20具有凹形口21，漏极30与源极20相对设置且具有伸入凹形口21的条状部31，凹形口21与条状部31的间隙形成U形沟道，数据线40搭接于源极20远离凹形口21的一端。