[实用新型]一种用于光伏太阳能电池层压的薄膜组件有效
申请号: | 201720025249.7 | 申请日: | 2017-01-10 |
公开(公告)号: | CN206516643U | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 陆斌;蔡列 | 申请(专利权)人: | 江苏朗杰膜科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙)32238 | 代理人: | 陈扬,蒋德全 |
地址: | 212200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 层压 薄膜 组件 | ||
技术领域
本实用新型属于PVB膜生产加工技术领域,具体涉及一种用于光伏太阳能电池层压的薄膜组件。
背景技术
光伏太阳能电池片不能直接暴露在阳光、雨水等自然条件下,因此有必要对其进行密封保护。目前使用的封装材料为单层结构的乙烯- 醋酸乙烯酯共聚物(EVA),在长期的高温高湿环境下,EVA 容易水解破坏,导致EVA 与玻璃界面的粘结性明显下降,造成太阳能电池组件存在安全隐患。另外一种就是聚乙烯醇缩丁醛(PVB)是一种柔顺性好、透明度高、粘接力强、耐候性强、成膜性好,耐冲击性优异的材料,对玻璃、金属、木材等材料都具有较好的粘接性能,PVB用于太阳能电池封装材料,其抗紫外、抗穿透、与玻璃粘接力以及存放时间都要优于乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA),但在双玻组件和薄膜电池组件层压过程中,由于电池片本身自有一定的厚度,经常发生膜片填充不充分、过度挤压损坏电池片的问题。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种用于光伏太阳能电池层压的薄膜组件,以克服现有技术中在薄膜层压过程中经常发生膜片填充不充分、过度挤压损坏电池片的技术问题。
本实用新型提供一种用于光伏太阳能电池层压的薄膜组件,包括位于电池片底部的底层PVB薄膜和位于电池片上部的上层PVB薄膜,所述底层PVB薄膜上设置有电池安装槽,所述安装槽之间设置有汇流条安装凹槽。
进一步的,所述电池片安装槽均匀分布于底层PVB薄膜上,其深度为0.1-0.35mm,优选0.15-0.25mm;所述电池片安装槽侧壁向电池外侧倾斜,倾斜角度α为5-30°,优选8-15°。
所述汇流条安装凹槽底部为方形或圆弧形,其深度为0.1-0.35mm,优选0.1-0.15mm。
本实用新型中所述上层PVB薄膜为平面薄膜,表面粗糙度为Rz50-100µm。
本实用新型在加工过程中是将薄膜原料经由模具挤出成片后,再经由带有凸模形式的辊轮挤压出具有凹槽形状膜片。由于凹槽膜而减少了层压过程中薄膜的变形量,电池片破损率和充填不良的发生率都将大大下降,可以大幅度提高双玻组件的成品率。采用此种凹槽薄膜能够有效固定电池片及汇流条,减少电池片移位承压而破损开裂、防止汇流条脱焊等质量问题的发生,提高组件封装成品率。还可以进一步减薄薄膜的厚度,降低组件重量。
附图说明
图1:本实用新型的一种薄膜组件压制的太能电池板的结构示意图;
图2:本实用新型的薄膜组件中底层凹槽膜的俯视图;
图3:本实用新型的薄膜组件中底层凹槽膜的侧视图;
图4:本实用新型的薄膜组件中底层凹槽膜的I位置局部放大图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的实施方式作进一步描述:
参见图1-4,本实用新型首先对PVB 薄膜原料经由模具挤出成片后,再经由带有凸模形式的辊轮挤压出具有凹槽形状底层PVB薄膜2。所述底层PVB薄膜2上设置有电池安装槽21,所述电池片安装槽21均匀分布于底层PVB薄膜2上,其深度为0.1-0.35mm,优选0.15-0.25mm。其长度和宽度与光伏电池片尺寸相对应,从而平稳固定电池片。进一步的,所述电池片安装槽21侧壁向电池外侧倾斜,倾斜角度α为5-30°,优选8-15°。采用斜角过度的方式,方便光伏电池片的置入及后续层压加工的填充。
所述电池安装槽21之间还设置有汇流条安装凹槽22,所述汇流条安装凹槽22底部为方形或圆弧形,其深度为0.1-0.35mm,优选0.1-0.15mm 。汇流条安装凹槽22的深度小于电池片安装槽21的深度,可以较好固定汇流条并方便焊接。
本实用新型中所述上层PVB薄膜1为平面薄膜,表面粗糙度为Rz50-100µm。
本实用新型的太阳能光伏电池组件封装加工时,将此具有凹槽形状底层PVB薄膜2按所需尺寸裁切好平铺在背板玻璃(图中未示出)上,将电池片嵌放入电池安装槽21,并装焊好汇流条,所述汇流条固定在汇流条安装凹槽22中。再铺装上层PVB薄膜1。之后采用常规的真空排气法或滚压层压法继续后序加工,即可完成光伏太阳能电池板的封装。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的