[实用新型]一种彩色透明LED发光板

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED的制造领域，特别涉及一种彩色透明LED发光板。

背景技术

目前，用于LED发光的电路基板主要以玻纤板为主；LED发光源即由单颗LED组合而成；LED发光源制造方法主要是通过点胶、固晶、打线、灌封等LED封装工艺，将LED晶片封装到特制的支架中；LED发光板就是将封装好的单颗LED通过焊接工艺固定到玻纤电路板上，通过外设电路实现板体发光。LED倒装封装技术由于工艺和技术水平的不成熟，目前也仅限于专为照明的白光技术。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种彩色透明LED发光板，该发光板可实现多种发光色彩，同时其制备过程简单，发光效果稳定。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为一种彩色透明LED发光板，包括由下至上依次连接的透明基板、ITO导电线路层、LED晶片组以及PU透明膜层，LED晶片组选自红、绿、蓝倒装LED晶片中至少一种，每三个LED晶片依次排列形成LED晶片组，LED晶片组焊接于ITO导电线路层上，LED芯片组表面覆盖常温固化的PU透明膜层。

优选地，ITO导电线路层的厚度为100～200nm，ITO导电线路层的制备方法为：透明基板经去离子水洗、超声波清洗后，进入ITO镀膜室磁控溅射ITO导电薄膜层，再经加热固化退火形成ITO导电膜层，ITO导电膜层最后经过蚀刻形成ITO导电线路层。

优选地，磁控溅射条件为：ITO镀膜室中磁控溅射靶材In₂O₃和SnO₂的重量比为90％：10％，纯度为99.99％，靶基距为6cm，透明基板的温度为室温，真空室中的真空为4.0×10^-5Pa，Ar气分压1.0Pa，Ar气流量为12cm³/min，溅射功率为50～200W，沉积速率约为0.7～1nm/s。

优选地，透明基板与ITO导电线路层之间还设置有SiO₂层。

优选地，透明基板上与ITO导电线路层相对的平面上设置银反光层。

优选地，透明基板上与LED晶片组相对的位置呈内凹状。

采用上述技术方案，由于在透明基板上设置三种基础颜色的倒装LED晶片依次排列，从而实现了多种色彩发光的效果，通过简单地焊接完成封装，制备方法简单，发光效果稳定。

附图说明

图1为实施例中一种彩色透明LED发光板的结构示意图。

图中，1-透明基板、11-凸起、2-ITO导电线路层、3-LED晶片组、4-PU透明膜层。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

一种彩色透明LED发光板，包括由下至上依次连接的透明基板1、ITO导电线路层2、LED晶片组3以及PU透明膜层4，LED晶片组选自红、绿、蓝倒装LED晶片中至少一种，每三个LED晶片依次排列形成LED晶片组，本实施例以红、绿、蓝依次排列形成一个LED晶片组为代表例，其他的排列或红、绿、蓝三色LED晶片的选择可根据日常应用所需的颜色进行选定，LED晶片组焊接于ITO导电线路层上，LED芯片组表面覆盖常温固化的PU透明膜层。常温固化有利于简化生产工艺。

而为了提高发光的稳定性，降低电阻率，ITO导电线路层的厚度设置为100～200nm，同时ITO导电线路层的制备方法为：透明基板经去离子水洗、超声波清洗后，进入ITO镀膜室磁控溅射ITO导电薄膜层，再经加热固化退火形成ITO导电膜层，ITO导电膜层最后经过蚀刻形成ITO导电线路层。在ITO镀膜室进行磁控溅射时，磁控溅射靶材In₂O₃和SnO₂的重量比为90％：10％，纯度为99.99％，靶基距为6cm，透明基板的温度为室温，真空室中的真空为4.0×10^-5Pa，Ar气分压1.0Pa，Ar气流量为12cm³/min，溅射功率为50～200W，沉积速率约为0.7～1nm/s。