[实用新型]多引脚贴片元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及基础电子元器件技术领域，尤其涉及一种多引脚贴片元件。

背景技术

传统半导体芯片的各种封装形态的贴片保护元件功率都较小，最高也就8KW，耐电流冲击从几十安培到几百安培不等，而插件元件可以达到几十KW甚至更高，耐电流可以达到几千安培甚至几十千安培。

传统的压敏电阻，由于银片的厚度与其规格对应，而要使用传统的TVS贴片框架式封装，一种框架只能做一个规格，而开发一个系列规格产品，相对开发投入成本高。

业界知道，TVS管通流能力随温度升高而降低，传统的大功率半导体元器件普遍存在散热能力差，受到浪涌冲击，发热在元件内部累积，短时间无法散热，冲击后器件温度升高，以至器件耐受冲击能力降低，无法承受短时间多次大浪涌冲击等问题。市场对高性能自动化贴片大功率型器件需求以渐形成趋势。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种适合于批量生产、功能强大、通用性强的多引脚贴片元件。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种多引脚贴片元件，其特征在于：包括组合芯片，所述组合芯片包括两个以上的单芯片，所述组合芯片的上、下表面分别焊接有上电极和下电极，所述上电极和下电极的个数与所述单芯片的个数相同，环氧树脂将所述组合芯片的全部以及所述电极的部分覆盖，使所述电极的外端位于所述环氧树脂的外侧。

进一步的技术方案在于：所述组合芯片中单芯片为连体结构或分体结构。

进一步的技术方案在于：所述单芯片为硅材料或碳化硅材料制作的瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料制作的压敏电阻MOV。

进一步的技术方案在于：所述上电极和下电极的制作材质为铜、铜钢、铁或铁镍，

进一步的技术方案在于：所述上电极和下电极的表面设有锡、银、镍或金层。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述贴片元件适于批量化生产和制造；通过搭配不同的引脚使用，可实现不同的功能及应用；适合不同厚度芯片或不同结构的芯片封装，提高了封装结构及方法的兼容性。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1为本实用新型较佳的单个元件的部分分解结构示意图；

图2a-2c为本实用新型较佳的焊接石墨板下模及填装平面摆放示图；

图3a-3c为本实用新型较佳的焊接石墨板上模示图；

图4a-4c为本实用新型较佳的焊接石墨板上下模配合，进炉前示图；

图5a-5b为本实用新型较佳的焊接后半成品元件的结构示图；

图6a-6b为本实用新型较佳的包封环氧树脂后半成品元件的结构示图；

图7为本实用新型较佳的成品结构透视图;

图8a-8c为本实用新型所述元件的三种结构示意图；

图9a为本实用新型较佳的连体组合芯片的结构示意图；

图9b为本实用新型较佳的分离组合芯片的结构示意图；

图10a为本实用新型较佳的下框架电极和上框架电极的结构示意图；

图10b-10d为本实用新型较佳的单电极的结构示意图；

其中：1a、下电极1b、上电极2、焊料3、组合芯片3a、单芯片4、下模5、上模6、环氧树脂7a、下框架电极7b、上框架电极。

具体实施方式

下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

实施例一

如图1和图7所示，本实用新型实施例公开了一种多引脚贴片元件，包括组合芯片3，所述组合芯片3包括两个以上的单芯片3a。所述组合芯片3的上、下表面分别焊接有上电极1b和下电极1a，所述上电极1b和下电极1a的个数与所述单芯片3a的个数相同。环氧树脂6将所述组合芯片3的全部以及所述电极的部分覆盖，使所述电极的外端位于所述环氧树脂6的外侧。